【选型】击穿电压超过1200V的碳化硅限流装置，保护数据线免受共模故障的影响

时间： 2019-08-20 来源：CALY

CALY Technologies是碳化硅（SiC）保护设备专家，可提供碳化硅定制设计方面的全套服务。碳化硅（SiC）限流装置（CLD）是设计用于通过它们将电流钳位在给定值的半导体器件，因此限制了到达要保护的设备的能量的量，由碳化硅（SiC）半导体制成的两端子元件，当端子电压超过一定的阀值（7V-10V）时进行限流，这些特性使其尤其适合于航空电子、工业、医疗、数据中心、汽车和住宅等要求严苛的市场领域中的抗浪涌、雷击及过流保护应用。

本方案介绍CALY Technologies的碳化硅限流装置在保护数据线免受共模干扰中的影响，在防止数据中心等数据线遭雷电、过流、短路、过压，以及对重型设备开关的过程中产生的浪涌方面特别有用。据此，本方案推荐CALY Technologies型号为KE12LE150B、KE12LEB150T20、KE12LS060B、KE12LS060SB、KE12LS060T47、KE12LS200B、KE12LS200T47、KE12LSB200S20、KE12LSB400T47的碳化硅CLD器件，为数据线保护提供解决方案。

图1 电路图

KE12LS060B、KE12LS060T47、KE12LS060SB：

首先在电气特性上，KE12LS060B、KE12LS060T47、KE12LS060SB是三款600 mΩ的SiC限流装置（CLD），设计用于将最大正向电流钳位在15A，额定饱和电流为10A，并能够承受高达1200V的浪涌瞬变。在反向模式下，均表现为恒定电阻。其高坚固性使其成为在连续和故障条件下限制通过负载的电流的理想设备，有效保护数据线。三款产品封装形式如下图所示。

图2 KE12LS060B、KE12LS060T47、KE12LS060SB订购信息

KE12LE150B：

KE12LE150B是一款通态阻抗1500mΩ碳化硅（SiC）单向限流装置，设计用于钳位每个器件典型值4A的电流，并能够承受高达1200V的浪涌瞬变。其高强度使其成为在故障情况下，故障消失或断路（机械或电子）可能发生反应之前限制通过负载的电流的理想设备。

图3 KE12LE150B订购信息

KE12LEB150T20：

KE12LEB150是一款1500mΩ双碳化硅（SiC）限流装置，可用于单向（S1连接到S2）或双向（S1和S2之间的装置）模式，旨在将电流钳制在典型值3A，能够承受高达1200V的浪涌瞬变。

图4 KE12LEB150T20订购信息

KE12LS200B、KE12LS200S、KE12LS200T：

KE12LS200（KE12LS200B、KE12LS200S、KE12LS200T）是3款电气参数为1.2 kV，导通电阻2 Ohm的限流装置，设计用于将正向电流钳位在最大2.5A。在反向模式下，KE12LS200表现为恒定电阻。

图5 KE12LS200B、KE12LS200S、KE12LS200T订购信息图

此外，与TVS与MOV类产品相比，本文推荐的CLD器件可大幅减少（7x至10x）的占用空间和重量。通过确保通过负载的故障电流接近其标称电流（降低感应故障应力），实现最佳负载保护。值得一提的是，目前这几款CLD产品都可以工作在-55℃~+175℃的温度范围内，可以应用在对环境温度要求苛刻的航空电子、工业、医疗、数据中心、汽车和住宅等领域。

综上所述，KE12LS060B、KE12LS060T47、KE12LS060SB、KE12LE150B、KE12LEB150T20、KE12LS200B、KE12LS200S、KE12LS200T、KE12LSB200S20、KE12LSB400T47 几款SIC限流装置（CLD）具有饱和电流与正常工作电流比率低、出色的电流钳位能力、正向电压超过1200V、良好的温度适应性等优势，保护数据线免受共模故障的影响。

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