【产品】规格为30V/3A的N沟道MOSFET DO2316，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷
杜因特推出的DO2316是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，在热性能方面，结到环境的热阻最大值为138℃/W，并有广泛的应用领域。
产品实物图和示意图
产品特点：
● VDS=30V，ID=3A，RDS(ON)<85mΩ（VGS=2.5V）
● 低栅极电荷
● 绿色环保器件
● 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的漏源导通电阻RDS(ON)
● 良好的散热封装
绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）：
热特性：
订购信息：
电气特性（TC=25℃，除非另有说明）：
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