【应用】国产SIC MOS P3M06040K3在车载OBC上的应用，符合AEC-Q101的要求
近年来随着新能源汽车的不断增加以及国家政策的大力支持，与其相关的产业正在不断的扩大市场，其中车载OBC作为新能源汽车必不可少的部件，其技术及性能都在不断的提高。现在的OBC要求体积越做越小，成本越做越低。为了实现这个目标，OBC厂家就得引入第三代半导体碳化硅器件来实现高效、小型化的要求，同时也只有大量的企业采用碳化硅器件设计才有可能使其成本下来。本文主要介绍国产品牌派恩杰SIC MOS P3M06040K3在车载OBC上的应用。
先来看目前比较流行的OBC拓扑：
上图是OBC初级功率变换的典型应用电路，其中前四个管子组成了图腾柱PFC电路，后面四个管子组成了LLC谐振电路，最后经变压器耦合隔离整流输出。前面的两个管子采用SIC MOS实现同步整流，后面两个可采用硅MOS或者快恢复二极管，这里为了提高效率和减少损耗采用MOS会比较好。这里理论上前面四个管子都可以采用硅MOS，但是因为硅MOS具有较高的反向恢复损耗，其导通损耗也比较大，而碳化硅反向恢复损耗很小，比硅低80%以上，其内阻也很小，Qg极低，使得其导通损耗相比硅来说小很多。而且碳化硅的设计频率可更高，理论值可达兆赫兹级别，从而可以使前面的电感做的更小，整机的体积和重量也同时减小。所以，这里采用碳化硅MOS可以大大的提高效率，并且缩小体积，降低整机损耗。
最后来看看P3M06040K3的一些参数特性：
1、 符合AEC-Q101的要求------>满足车规认证，其性能更有保障；
2、 超小的Qgd，仅18.3nC------>道通损耗更低，使得效率更高；
3、 极低的Coss，只有246PF------>较小的输出电容，开关损耗更低；
4、 极低的热阻，仅0.59°C/W------>热阻低其散热效果和耐热更好，可以减小散热片。
综上所述，采用派恩杰的碳化硅MOS P3M06040K3应用在OBC上可以更好的提高效率，缩小体积，降低总体成本。而且其作为为数不多符合车规级的国产品牌，其价格和交期都比较好，封装兼容国际一线品牌。
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派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
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型号- P3M06035G7
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型号- P3M171K0K3
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描述- 本资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M06035K4型号SiC MOSFET，这是一种N沟道增强型SiC MOSFET。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作、超小Qgd等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关模式电源等应用。
型号- P3M06035K4
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型号- P3M171K0G7
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型号- P3M06300D5
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型号- P3M171K0K3
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