【产品】采用D2PAK-7L封装的650V-27mΩ SiC FET，适用于开关感性负载
UF3SC065030B7S是UnitedSiC公司推出的一款650V-27mΩ SiC FET，这种SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中将常开SiC JFET与Si MOSFET封装在一起来构成常关型SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许对Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件实现真正的“直接替代”。该产品采用D2PAK-7L封装，该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合于开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
产品特征
●导通电阻 RDS(on)：27mΩ（典型值）
●工作温度：175℃（最高值）
●出色的反向恢复特性：Qrr=425nC
●低 VFSD：1.3V（体二极管）
●低栅极电荷：QG = 43nC
●阈值电压 VG(th)：5V（典型值），允许0至15V驱动
●封装爬电距离和电气间隙>6.1mm
●具有用于优化开关性能的开尔文源极引脚
●ESD 保护，HBM 2 级
订购信息：
典型应用：
●电信和服务器电源
●工业电源
●功率因数校正模块
●电机驱动
●感应加热
最大额定值：
漏源电压VDS：650V；
DC条件下，栅源电压VGS：-25~+25V;
连续漏极电流ID：
在TC=25℃时 ：62A;
在TC=100℃时：44A；
在TC=25℃时，脉冲漏极电流IDM为230A；
L=15mH, IAS=4A时，单脉冲雪崩能量EAS：120mJ；
在TC=25℃时，功率损耗Ptot：214W；
最高结温TJ,max：175℃；
工作与存储温度TJ, TSTG：-55~175℃；
在回流MSL 3等级时，回流焊温度Tsolder：260℃；
注：
连续漏极电流: 受TJ,max限制
脉冲漏极电流: 脉冲宽度tp受TJ,max 限制
单脉冲雪崩能量: 起始温度 TJ=25℃
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