掌握核心的SiC功率器件设计,独立自主开发世界一流水平的车规级SiC器件公司——NOVUSEM(蓉矽)

2023-08-21 世强
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产品亮点:

1200V 75/40/12mΩ NovuSiC® MOSFET

——全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性

荣获中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件

Ø短路耐受时间>3μs

Ø栅氧化层长期可靠

Ø低导通电阻,低开关损耗

Ø高雪崩耐量


1200V 10/20/30A NovuSiC® EJBS™

——出色的抗浪涌电流能力和正反向特性

Ø高抗浪涌电流能力:11倍(1200V/20A)

Ø低正向导通压降

Ø低反向漏电流

Ø高结温性能稳定:175℃


MCR®

——更可靠、低损耗的理想硅基二极管

Ø与肖特基相当的低导通压降

Ø极低的反向漏电

Ø低反向恢复损耗

Ø最高30倍抗浪涌电流能力


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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目录- 碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOSFET   

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

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2023-11-27 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

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2023-06-26 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

NF3M50120K碳化硅MOSFET 1200V,50MΩ

描述- 该资料介绍了Silicon Labs公司生产的NF3M50120K型号碳化硅MOSFET的特性、应用领域和关键性能参数。该产品适用于高频应用,具有高电压、低导通电阻、高速、低寄生电容等特点,适用于电机驱动、光伏逆变器、UPS电源、高压DC/DC转换器和开关电源等领域。

型号- NF3M50120K

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2023-08-07 -  原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务

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2024-07-23 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务
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品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode

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品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode

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品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode

价格:¥12.6000

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品牌:NOVUSEM

品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode

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品类:SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die

价格:¥6.3000

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品牌:NOVUSEM

品类:SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die

价格:¥18.2000

现货: 10

品牌:NOVUSEM

品类:SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die

价格:¥12.6000

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品牌:NOVUSEM

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品类:SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die

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