掌握核心的SiC功率器件设计，独立自主开发世界一流水平的车规级SiC器件公司——NOVUSEM（蓉矽）
成都蓉矽半导体有限公司(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证和台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。
产品亮点：
1200V 75/40/12mΩ NovuSiC® MOSFET
——全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性
荣获中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件
Ø短路耐受时间＞3μs
Ø栅氧化层长期可靠
Ø低导通电阻，低开关损耗
Ø高雪崩耐量
1200V 10/20/30A NovuSiC® EJBS™
——出色的抗浪涌电流能力和正反向特性
Ø高抗浪涌电流能力：11倍(1200V/20A)
Ø低正向导通压降
Ø低反向漏电流
Ø高结温性能稳定:175℃
MCR®
——更可靠、低损耗的理想硅基二极管
Ø与肖特基相当的低导通压降
Ø极低的反向漏电
Ø低反向恢复损耗
Ø最高30倍抗浪涌电流能力
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品类：Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
价格：￥10.3320
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