【应用】EPC的GaN场效应管EPC2212用于激光雷达,瞬态电流75A,耐高压100V

2022-08-11 世强
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在激光雷达产品中,通常采用GaN MOS作为重要的功率器件,相比于传统的SIC MOS,GaN MOS具备更高的开关频率和更低的脉冲宽度,能够大幅的提高激光雷达设备的分辨率。


有客户在设计一款激光雷达产品时,采用GaN MOS用于激光管功率驱动,要求GaN MOS的耐压在60V以下,最大电流40A左右,小体积封装,本文给客户推荐了一款EPC的增强型氮化镓(eGaN)场效应管EPC2212,VDS最大额定值为100V,脉冲电流ID最大额定值为75A,具备高开关频率和极低的导通损耗,非常适合用于对开关频率要求极高的场合。

图1 . EPC2212在激光雷达发射器中的应用

EPC2212 GaN场效应管在激光雷达中的优势:

1.  耐高压100V,大电流75A,满足满足大电流应用场合;

2.  3.2nC低栅极电荷以及0nC漏极电荷,能够提高开关速度减少转换损耗;

3.  过AEC-Q101车规认证,2.1mm×1.6mm小体积封装,能够大幅节省PCB空间。

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