【应用】EPC的GaN场效应管EPC2212用于激光雷达，瞬态电流75A，耐高压100V
在激光雷达产品中，通常采用GaN MOS作为重要的功率器件，相比于传统的SIC MOS，GaN MOS具备更高的开关频率和更低的脉冲宽度，能够大幅的提高激光雷达设备的分辨率。
有客户在设计一款激光雷达产品时，采用GaN MOS用于激光管功率驱动，要求GaN MOS的耐压在60V以下，最大电流40A左右，小体积封装，本文给客户推荐了一款EPC的增强型氮化镓（eGaN）场效应管EPC2212，VDS最大额定值为100V，脉冲电流ID最大额定值为75A，具备高开关频率和极低的导通损耗，非常适合用于对开关频率要求极高的场合。
图1 . EPC2212在激光雷达发射器中的应用
EPC2212 GaN场效应管在激光雷达中的优势：
1. 耐高压100V，大电流75A，满足满足大电流应用场合；
2. 3.2nC低栅极电荷以及0nC漏极电荷，能够提高开关速度减少转换损耗；
3. 过AEC-Q101车规认证，2.1mm×1.6mm小体积封装，能够大幅节省PCB空间。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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