【产品】20V/6.5A的N沟道MOSFET,SOT-23封装,工作温度-55~150℃
固锝电子(good-ark)推出的N沟道MOSFET SSF2318E采用先进的沟道技术,提供出色的RDS(ON),低栅极电荷,可在低至2.5V的栅极电压下操作,具有高功率和电流处理能力,ESD额定值2000V HBM,采用SOT-23封装,为环保产品,已获得无铅认证,广泛应用于电池保护、负载开关、电源管理等领域。
产品主要特征
●高功率和电流处理能力
●无铅产品
●表面贴装封装
●VDS = 20V,ID =6.5A
RDS(ON) < 34mΩ @ VGS=1.8V
RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=2.5V
RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=4.5V
ESD额定值:2000V HBM
最大额定值(TA = 25℃除非另有说明)
包装和订购信息
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