【应用】车规级MOSFET管P20LF4QTKD助力汽车电子水泵电机控制器，实现小型轻量化设计

时间： 2021-12-15 来源：世强

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MOS管,车规级MOSFET管,P20LF4QTKD-5071,SHINDENGEN

汽车电子水泵市面上的主流的设计是采用分立器件设计的，主控MCU+7颗分立的N沟道MOSFET组成。本文重点介绍新电元SHINDENGEN单个封装搭载双器件的“LF Dual”系列车规级MOSFET管P20LF4QTKD，采用双N MOS管，助力12V供电系统汽车电子水泵的设计，可实现汽车电子水泵小型化、轻量化设计，如下图电机控制系统框图。

图1 汽车电子水泵电机控制系统框图

本方案设计一款12V系统30W的汽车电子水泵，如上图1采用三相全桥拓扑+PWM电流方式控制，驱动上下桥臂MOS管交错开通关断，产生三相交流正弦的电流波形，从而驱动电机转动，使水泵产生吸力。

汽车电子水泵电机控制器设计时，功率MOS管的的选型需要关注以下几点：

1、由于在车载环境中，水泵电机控制器所在的空间比较小，因此需要考虑MOS的低损耗、大通流量，小尺寸；

2、MOS管要留有足够的耐压余量防止电机反射电压导致VDS过压损坏的风险；

3、30W功率的水泵，工作电流2.5A左右，ID连续漏极电流需要有一定的余量，来有效抵抗电机堵转，过流等工况下的电流耐受能力；

4、MOS的导通电阻选择较低的，可降低导通损耗、蓄电池的耗电量、器件正常工作时的发热损耗，提高可靠性；

5、输入电容，栅极电荷，越小越好，可满足高频开关应用；

6、MOS的封装选型小尺寸的封装有助于电路的小型化和轻量化；

7、符合AEC-Q101标准；

图2 P20LF4QTKD 封装尺寸及PIN脚定义

针对汽车电子水泵，新电元推出的“LF Dual”系列MOS管P20LF4QTKD助力汽车电子水泵小型化、轻量化设计具有以下几点优势：

1、MOS的Vds最大电压承受能力40V满足12V蓄电池供电。

2、30W功率水泵，工作电流2.5A，P20LF4QTKD漏极最大电流20A，满足极限工况下电机堵转，过流等工况下的电流耐受能力。

3、导通电阻低至12mΩ，输入电容仅630pF，FOM（Ron×Ciss）降低了25%，有助于降低开关损耗。

4、采用Cu clip排夹结构，通过大幅降低阻抗和提高散热性，实现了小型化和导通阻抗的降低。

5、LF_Dual封装，与SOP8封装的外形类似，贴装面积和部件数量均比使用单体封装时减少了50%，助力水泵小型化和轻量化设计。

6、通过AEC-Q101认证，已批量出货，广泛应用于汽车电子系统的设计中，已在成熟的车厂批量出货，质量交期均有保障。

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型号- 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2022/11/22 - 固得沃克 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

最大漏源电压60V的合科泰MOS管HKTD80N06，可承受80A连续漏极电流，适用于电机驱动和电源等

合科泰电子生产的一款MOS管HKTD80N06产品采用N沟道制作，它具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压60V，栅源电压20V，连续漏极电流80A，漏源导通电阻0.0065欧姆，最小栅极阈值电压2V，最小栅极阈值电压4V，耗散功率100mW。它具有超低功耗、充分表征雪崩电压、模压塑料材料温度可靠等特点。高电流承载能力，能承受高达80A的连续漏极电流，使得它非常适合于需要高电流的应用场景。

2024-11-14 - 产品代理服务技术支持批量订货

【方案】墙壁开关单火线供电优选元器件方案

描述- 本方案采用Power Integrations（PI）的LinkSwitch-TN2离线式开关电源IC，静态消耗电流＜75uA，具有超低消耗电流和高轻载效率，可确保兼容额定功率低至3W的高能效LED灯泡和节能灯，适合单火线智能墙壁开关供电。

型号- 0443005.,CMMR1-10,EFR32MG13P732F512GM48-C,0443005.DR,EFR32MG13P732F512,LNK3202,P60B4EL-5071,SGM321YC5/TR,SGM321YN5/TR,0443005,EFR32MG13P732F512GM48-CR,SGM2203-5.0YN3LG/TR,EETMOS,LINKSWITCH-TN2,SGM321,SGM321BYN5/TR,P60B4EL,LNK3202D,SGM2203,SGM2203-5.0

SHINDENGEN,LITTELFUSE,PI,SILICON LABS,CENTRAL SEMICONDUCTOR,SGMICRO - 优选器件方案 - V1.1

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2018-05-05 - 新产品代理服务技术支持批量订货

上海格瑞宝电子有限公司

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2023/8/16 - 格瑞宝电子 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持批量订货

辰达行推出NMOS管MDD90N03D，具有热性强、高负载电流能力等特点，有效提高系统效率

辰达行半导体生产的一款MDD90N03D是采用N沟道制作的MOS管，产品具有很强的电性参数的性能，其能承受的最大漏源电压30V，栅源电压±20V，连续漏极电流90A，漏源导通电阻0.0056欧姆，最小栅极阈值电压1.2V，最大栅极阈值电压2.5V，耗散功率95mW，重量约0.016克，非常轻巧。它的导通电阻非常低、开关速度快、耐电流能力强，非常适合于LED驱动电路、稳压电路、开关电路等。

2024-08-22 - 产品代理服务技术支持批量订货