【产品】高压N沟道功率ORing MOSFET控制器，适合大电流应用
Intersil公司最近推出了一款高压N沟道功率ORing MOSFET控制器--ISL6144，适合在高电流应用中替换功率二极管，可提高配电效率和可用性。
ISL6144可用于9V至75V系统中，并具有内部电荷泵，可为N沟道ORing MOSFET提供浮动栅极驱动。高速比较器在短于300ns时间内通过关断短路进给ORing MOSFET并确保低反向电流来保护公共总线免受单独电源短路。高速比较器的外部可编程电阻检测水平，允许用户设置N沟道MOSFET“VOUT-VIN”跳变点来调整对电源噪声的控制灵敏度。
ISL6144内部的迟滞调节放大器可提供ORing MOSFET的慢速关断。当其中一个电源缓慢关闭来进行系统诊断时，可以在小于100μs内实现关断，确保零反向电流。这种缓慢的关断机制也对输出电压下降、退化或掉电作出反应。
ISL6144具有故障检测电路，可以检测各种不同类型的故障，包括电源短路，任何两个ORing MOSFET端子短路或配电通路中熔断器熔断等。
ISL6144具有20引脚QFN封装和16引脚TSSOP封装两种封装形式可供选择，其实物如图1所示。该芯片主要应用于配电系统中的MOSFET控制、N+1冗余分布式电力系统、文件和网络服务器（12V和48V）以及电信/数据通信系统等领域。
图1：20引脚QFN封装 （左）16引脚的TSSOP封装（右）
ISL6144的产品特性：
· 宽电源电压范围+ 9V至+ 75V
· 瞬态等级到+100V
· 反向电流故障隔离
· 内部电荷泵允许使用N沟道MOSFET
· 高速比较器提供非常快的<0.3μs响应时间来完全短路电源。 高速比较器还具有电阻可调跳闸水平
· 迟滞调节放大器允许静态<100μs MOSFET关断来减速电源关断
· 漏极开路、120μs低电平故障输出
· 提供符合UL60950（UL1950）漏电要求的封装
· QFN封装
· 无铅，符合RoHS标准
ISL6144的应用领域：
· 配电系统中的MOSFET控制
· N + 1冗余分布式电力系统
· 文件和网络服务器（12V和48V）
· 电信/数据通信系统
技术顾问：史辰雷
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ISL6146低压或ing FET控制器
型号- ISL6146DEVAL1Z,ISL6146CEVAL1Z,ISL6146,ISL6146AEVAL1Z,ISL6146AFUZ,ISL6146BFUZ,ISL6146DFRZ,ISL6146EDEVALZ,ISL6146EFRZ,ISL6146BEVAL1Z,ISL6146CFRZ,ISL6146AFRZ,ISL6146BFRZ,ISL6146B,ISL6146EFUZ,ISL6146A,ISL6146CFUZ,ISL6146DFUZ,ISL6146EEVAL1Z,ISL6146XEVALZ,ISL6146E,ISL6146D,ISL6146C
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