【产品】-1.25A/-60V的P沟道增强型FET MMFTP5618，采用SOT-23封装
DIOTEC（德欧泰克）推出的P沟道增强型场效应晶体管（FET） MMFTP5618，该P沟道增强型FET采用SOT-23（TO-236） 封装；漏极-源极电压为-60 V，漏极电流-1.25A ，工作结温和存储温度范围-55~+150︒C；开关快速，符合ROHS、REACH指令和冲突矿物法，主要应用于信号处理、电池管理、驱动器、逻辑电平转换器等领域。
图1. 产品外形、尺寸（mm）及内部结构图
典型应用：
信号处理
电池管理
驱动器
逻辑电平转换器
商业级/工业级
主要特征：
快速开关时间
符合ROHS、REACH指令和冲突矿物法
机械参数：
盘带包装：3000/7”
重约0.01 g
外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
焊接和组装条件：260℃/10s，MSL = 1
最大额定值：
参数表：
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品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
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