【产品】漏-源电压达600V的N沟道超结功率MOSFET，具有卓越的雪崩增强技术

时间： 2022-08-23 来源：武汉芯源

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N沟道超结功率MOSFET,CWS60R130B,CWS60R130BF,CWS60R130BC

武汉芯源的SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，由P&S根据超结原理设计而成。武汉芯源推出的N沟道超结功率MOSFET CWS60R130B集成了MOSFET快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于更高效、更紧凑的、更轻便的高性能适配器等应用领域。绝对最大额定值方面，在TC=25℃时，CWS60R130BF的连续漏极电流达30A，在VGS=0V，TJ=25℃时，漏-源电压达600V。其封装及引脚如下图所示。

产品特点

•由于具有非常低的 Rdson*Qg，其损耗极低

•卓越的雪崩增强技术

•快速开关能力

•100% 雪崩测试

•采用无铅电镀引线；符合 ROHS标准

应用

•功率因数校正（PFC）

•开关电源（SMPS）

•不间断电源（UPS）

• 高性能适配器

• LED照明电源

绝对最大额定值

（ Tj=25°C，除非另有说明）

Note 1. 受最高结温限制；

Note 2.脉冲宽度受最高结温限制；

Note 3. I_AS = 12A，V_DD = 50V，R_G = 25 Ω，开始时 T_J= 25℃。

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CWS50R580AF	MOSFET	8	550	0.53	0.58	11.7	8.9	215	TO-220F-3L

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