【产品】漏-源电压达600V的N沟道超结功率MOSFET，具有卓越的雪崩增强技术
武汉芯源的SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，由P&S根据超结原理设计而成。 武汉芯源推出的N沟道超结功率MOSFET CWS60R130B集成了MOSFET快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于更高效、更紧凑的、更轻便的高性能适配器等应用领域。绝对最大额定值方面，在TC=25℃时，CWS60R130BF的连续漏极电流达30A，在VGS=0V，TJ=25℃时，漏-源电压达600V。其封装及引脚如下图所示。
产品特点
•由于具有非常低的 Rdson*Qg，其损耗极低
•卓越的雪崩增强技术
•快速开关能力
•100% 雪崩测试
•采用无铅电镀引线； 符合 ROHS标准
应用
•功率因数校正（PFC）
•开关电源（SMPS）
•不间断电源（UPS）
• 高性能适配器
• LED照明电源
绝对最大额定值
（ Tj=25°C，除非另有说明）
Note 1. 受最高结温限制；
Note 2.脉冲宽度受最高结温限制；
Note 3. IAS = 12A，VDD = 50V，RG = 25 Ω，开始时 TJ = 25℃。
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