【产品】采用SOT-23表面贴装的CBAT54~CBAT54S系列硅肖特基二极管，适合低正向电压降应用设计
美国中央半导体公司（Central Semiconductor）推出了CBAT54系列硅肖特基二极管，包括CBAT54、CBAT54A、CBAT54C、CBAT54S四款硅肖特基二极管。该系列采用SOT-23表面贴装封装，具有低正向压降、泄露电流小、反应迅速、尺寸小的特点，适用于低正向电压降的应用设计。
图1 CBAT54~CBAT54S系列硅肖特基二极管实物图。
CBAT54~CBAT54S系列硅肖特基二极管最大尺寸为3.05mm×2.49mm×1.09mm，满足小尺寸的设计要求。其连续反向耐受电压为30V，连续正向电流较小，仅为200mA，与此对应，正向浪涌电流仅为600mA。其工作和储存温度范围很宽，为-65℃至150℃，能够在恶劣的环境保证正常工作而不发生失效。在25℃的测试环境下，其功耗仅为350mW，满足低功耗的设计要求，热阻ΘJA为357℃/W。
图2 CBAT54~CBAT54S系列硅肖特基二极管封装外形尺寸图
CBAT54、CBAT54A、CBAT54C、CBAT54S硅肖特基二极管的泄露电流较小，在25℃测试环境下，当反向电压为25V时，其反向泄露电流仅为2uA。另外其也具有很低的正向压降，在正向电流为0.1mA、1mA、10mA、30mA、100mA时，其正向压降分别为240mV、320mV、400mV、500mV、800mV。同时其反应非常迅速，反向恢复时间仅为5ns。
如图3所示，分别是CBAT54、CBAT54A、CBAT54C、CBAT54S四款硅肖特基二极管的引脚图。对于CBAT45来说，1是阳极，3是阴极，2没有连接。对于CBAT45A来说，1和2分别是阴极D2、阴极D1，3是阳极D1和阳极D2。对于CBAT45C来说，1和2分别是阳极D2、阳极D1，3是阴极D1和阴极D2。对于CBAT54S来说，1是阳极D2，2是阴极D1，3是阴极D2和阳极D1。
图3 CBAT54~CBAT54S系列硅肖特基二极管的封装引脚图
CBAT54~CBAT54S系列硅肖特基二极管的主要特性：
·低正向压降：400mV @IF=10mA
·泄露电流小：2uA @VR=反应迅速：trr=5ns
·尺寸小：最大尺寸为3.05mm×2.49mm×1.09mm
·工作和储存温度范围很宽，为-65℃至150℃
·反向耐受电压为30V
·热阻ΘJA为357℃/W
·功耗仅为350mW
CBAT54~CBAT54S系列硅肖特基二极管的典型应用：
·要求小尺寸和低正向电压降的应用设计
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