【产品】正向电流50A/75A的大功率IGBT模块，助力太阳能逆变器应用
京瓷（KYOCERA）专门从事精密陶瓷的研发和生产，产品涉及汽车和半导体零部件，电子元器件等。其可控硅/二极管模块产品仍占据日本本土市场第一，旗下还有晶体晶振、连接器、MLCC、显示屏等各类高性能电子元器件。
京瓷（Kyocera）推出的PCHMB50W6、PCHMB75W6两款IGBT模块，这种新型复合电力电子器件将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、驱动电压高等特点，又兼具了通态压降低、大电流的优点。主要应用于太阳能逆变器、大功率转换器、焊接设备以及UPS等应用领域。
图1 PCHMB50W6、PCHMB75W6尺寸图
图2 PCHMB50W6、PCHMB75W6电路图
PCHMB50W6、PCHMB75W6两款IGBT模块的集电极-发射极电压可达650V，栅极-发射极电压均为±20V，平均正向电流IF分别50A、150A，当脉宽≤1ms时，IFm分别为100A、150A，可满足大功率应用的需求。绝缘电压高达2500Vrms，器件具有较好的绝缘性。集电极功耗最高分别为217W、306W（Tj = 175℃），是工业驱动器以及功率应用的不二之选。
PCHMB50W6、PCHMB75W6具有宽存储温度范围，均为-40℃~125℃，可在低温环境下工作，结温温度范围均为-40℃~150℃，具有出色的耐高温性能和极强的环境适应能力。两款IGBT器件的热阻最大值分别为0.69℃/W、0.49℃/W，拥有出色的散热性能，较大程度上能够满足工业需求的环境温度。
PCHMB50W6、PCHMB75W6开通延迟时间分别为134ns、126ns，关断延迟时间分别为347ns、328ns，拥有极快的开关速度。上升时间tr分别为78ns、75ns，，下降时间tf为72ns、71ns，有利于电路快速启动。内置二极管的反向恢复时间trr典型值均为140ns，内置二极管具有较低的导通损耗和开关损耗。
PCHMB50W6、PCHMB75W6 IGBT模块特点：
·存储温度范围：-40℃~125℃
·结温温度范围均为-40℃~150℃
·集电极损耗最高分别为217W、306W
·热阻最大值分别为0.69℃/W、0.49℃/W
PCHMB50W6、PCHMB75W6 IGBT模块应用领域：
·太阳能逆变器
·大功率转换器焊接设备
·UPS
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