中电国基南方1200V系列SiC MOSFET助力电驱功率器件国产化替代
据统计测算，我国所用电机耗电量约占全国用电量的60％，其中高效电机仅占3%左右，这说明我国电机节能潜力巨大，因此在节能减排的迫切需求之下，SiC MOSFET器件低开关损耗、低导通损耗的特性将有效降低电机的功率损耗并提高电力转换的效率，是当前电驱领域降本增效的重要途径。
近年，SiC MOSFET器件已逐步替代Si IGBT和Si MOSFET应用在电驱方案中。目前国内市场SiC MOSFET方面，绝大部分为进口器件，以Cree C2M 1200V系列为代表的25、40、80毫欧系列产品已广泛应用于各大电驱企业，国产SiC企业目前在MOSFET上能实现量产的企业极少。中电国基南方是国内目前为数不多的已实现6英寸SiC MOSFET量产的IDM型企业，目前推出的WM1A 1200V系列的25、40、80毫欧产品，在电性能上与Cree C2M 1200V系列基本一致（如图可见，国基产品RDSON随结温的变化量较小，沟道电阻占比仍然较大，阈值电压与DMOS的Cree G2类似）。
同时，在器件可靠性上，在同温（150°）、同时（1000小时）测试条件下，国基产品可达到Cree同等水平（以1200V 80mΩ器件为例，如下图所示，同测试条件下，正、反向阈值电压基本一致）。
目前，国基南方1200V系列SiC MOSFET可提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7等多种封装形式，并在交期和价格上相比国外器件更具优势。具体电参数如下（以247-3为例）：
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中电国基南方SiC MOSFET选型表
中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。
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产品型号
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品类
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GEN
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VGS(th)(V) (Typ.)
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Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
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VDSS(V)
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Drain Current(A) TC=25℃
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质量等级
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RDS(on)(mΩ)
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Package
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Gate Charge Total(Qg)(nc)
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Total Power Dissipation(PTOT)(W)
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WM2V020065K
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SiC MOSFET
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G2
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2.6V
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175℃
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650V
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92A
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车规级
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20mΩ
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TO-247-3
|
187nc
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312W
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选型表 - 中电国基南方 立即选型
SiC 电力电子器件产品简册
型号- WS4A020120A,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A030120K,WS4A020120B,WS4A020120D,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WMT040M120B1A,WS4A040120K,WS4A004065F0,WS4A010120E,WMIT075M120B1A,WS4A010120D,WS3A010170D,WS4A040120D,WS4A010120B,WS3A010170B,WS4A010120A,WM2HA050200K,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WM2V060075L,WS4A030065D,WM2HA040170N,WM2HA050200L,WM2HA100200L,WS4A020120J,WS4A020120K,WM2HA040170L,WM2HA050200N,WM2HA040170K,WM2HA100200K,WS1A025650B,WS4A008065B,WM2HV040120L,WM2HA100200N,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WS4A030065B,WM2A030065N,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2A030065L,WM2HA140120N,WM2A030065K,WS1A030330D,WS1A030330B,WMD075M120B1A,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2A030065Y,WM2HA080170N,WM2HA080170K,WM2HA080170L,WM2HV016120K,WS4A006065F,WS4A006065E,WM2HA020170L,WS4A004065A0,WS4A010120J,WS4A006065B,WM2HA020170K,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A040065K,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A010065B,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HA040120T,WM2HA025200L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA025200K,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WMH060M075A1A,WM2HV040065N,WM2A060065L,WM2HA030120T,WM2A060065Y,WS1B001500V,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2A040120N,WM1A650170N,WM2HV020120K,WM1A650170K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WM2A075120K,WS4A015120D,WM2A075120L,WS3A001330F,WM2A075120N,WS3A001330B,WS4A005120A,WS4A005120B,WM2HA040065N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2HA040065L,WM2V020065L,WM2HA040065K,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V040120N,WS4A020065A,WM2HA024200K,WM2V075120N,WS4A020065D,WM2HA024200L,WM2V075120K,WM2A050330B,WM2V075120L,WS4A020065B,WM2HV030120K,WM1A080120K1,WM2HA040065Y,WTSD1A25170D,WM2HA020065L,WS3A050170D,WS3A050170B,WM2HA016120L,WS3A002120A,WS4A015120A,WM2HA016120K,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WS3A002120E,WM2HV020065L,WM2HA016120T,WM2A060090N,WM2A060090K,WM2V030065N,WM1A080120L1,WM2V030065L,WM2A060090L,WM2V030065K,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2HV030120N,WS4A020065K,WM2HV030120L,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A160650B,WM1A01K170N,WS4A030120B
中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南
描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。
型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
高压快充推动碳化硅SiC器件产业化：新能源汽车市场趋势与技术革新
随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展，高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案，正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验，铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。
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【产品】35.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A080120B/K
WM1A080120B、WM1A080120K是中电国基南方的35.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻80 mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A080120B晶片尺寸为3.0×4.5 mm²，WM1A080120K采用TO-247-3封装。两款产品具有阻断电压高、导通电阻低，电容低、能高速开关等特点，并且易于并联使用，驱动简单。
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澜芯半导体（LXP）MOSFET和IGBT选型表
描述- 上海澜芯半导体有限公司是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司，团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验，在一年时间内通过快速迭代开发，现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品，广泛适用于新能源汽车电驱控制器，车载充电机（OBC），车载直流变换器（DCDC），空压机电控；光伏风电逆变器；充电桩模块；储能变流器；大功率开关电源；通信电源等相关产品。
型号- LX1C160N120Y,LX1C160N120W,LX7G030N075Y,LX7G075N120Y,LX7G075N075Y,LX7G160N075W,LX7G075N120W,LX7G030N075W,LX7G075N075W,LX7G160N075Y,LX7G025N120W,LX7G275N075W,LX2C060N120Y,LX1S110N065NAC,LX7G275N075Y,LX2C060N120W,LX7G030N075F,LX7G100N120W,LX7G100N120Y,LX7G030N075C,LX7G025N120F,LX2C030N120Y,LX7G025N120C,LX7G015N120Y,LX1S110N065NAF,LX2C030N120W,LX2C013N120D,LX2C013N120B,LX1S110N065NAW,LX1C040N120B,LX1S110N065NAY,LX1C040N120D,LX2C030N120B,LX1S110N065FBC,LX1S110N065FBF,LX2C030N120D,LX7G275N075C,LX1S110N065FBW,LX7G275N075F,LX1S450N065NAY,LX1S110N065FBY,LX1S450N065NAW,LX7G025N120Y,LX1S450N065NAF,LX2C013N120Y,LX2C016N120Y,LX2C013N120W,LX1C040N120W,LX1C160N120D,LX1C040N120Y,LX1C160N120B,LX1S360N065NAY,LX1S360N065NAW,LX1S450N065NAC,LX1S360N065NAF,LX1S360N065NAC,LX2C016N120B,LX2C016N120D,LX1S080N065NAF,LX1S180N065FBY,LX1S080N065NAC,LX1S680N065NAF,LX1S230N065NAF,LX1S230N065NAC,LX2C016N120W,LX1S680N065NAC,LX7G050N120C,LX7G150N120C,LX1S040N065NAF,LX7G050N120F,LX1S040N065NAC,LX7G050N075C,LX7G150N120F,LX7G050N075F,LX1S180N065NAW,LX7G050N075W,LX1S180N065NAY,LX7G050N120Y,LX7G050N075Y,LX1S180N065FBC,LX1S040N065FBC,LX1S230N065FBW,LX1S040N065FBF,LX1S180N065FBF,LX1S230N065FBY,LX1S040N065NAW,LX1S040N065NAY,LX7G050N120W,LX1S080N065FBF,LX1S040N065FBW,LX1S040N065FBY,LX1S080N065FBC,LX1S080N065NAY,LX1S230N065FBF,LX1S080N065NAW,LX1S180N065FBW,LX1S230N065NAY,LX1S230N065FBC,LX1S680N065NAW,LX1S680N065NAY,LX1S230N065NAW,LX7G100N120C,LX7G040N120W,LX7G015N120W,LX7G040N120Y,LX7G015N120C,LX7G015N120F,LX2C060N120D,LX2C060N120B,LX1C080N120Y,LX7G100N120F,LX1S180N065NAC,LX1S080N065FBY,LX1C080N120W,LX1S180N065NAF,LX1S080N065FBW,LX7G150N120Y,LX1C080N120B,LX7G160N075C,LX7G160N075F,LX7G075N075F,LX1C080N120D,LX7G075N120F,LX7G150N120W,LX7G075N120C,LX7G075N075C,LX7G040N120C,LX7G040N120F
【应用】国产SiC MOS管WM1A01K170K助力光储辅助电源设计，耐压高达1700V
本文重点介绍国产中电国基南方1700V的SIC MOS管助力光储辅助电源设计，光储逆变器中，一般会有一套或者两套辅助电来给控制电路和驱动电路供电，针对1500V高压系统，200KW的组串式储能系统辅助电源则需要150W-200W的辅助电源。
应用方案 发布时间 : 2021-11-16
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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