中电国基南方1200V系列SiC MOSFET助力电驱功率器件国产化替代
据统计测算，我国所用电机耗电量约占全国用电量的60％，其中高效电机仅占3%左右，这说明我国电机节能潜力巨大，因此在节能减排的迫切需求之下，SiC MOSFET器件低开关损耗、低导通损耗的特性将有效降低电机的功率损耗并提高电力转换的效率，是当前电驱领域降本增效的重要途径。
近年，SiC MOSFET器件已逐步替代Si IGBT和Si MOSFET应用在电驱方案中。目前国内市场SiC MOSFET方面，绝大部分为进口器件，以Cree C2M 1200V系列为代表的25、40、80毫欧系列产品已广泛应用于各大电驱企业，国产SiC企业目前在MOSFET上能实现量产的企业极少。中电国基南方是国内目前为数不多的已实现6英寸SiC MOSFET量产的IDM型企业，目前推出的WM1A 1200V系列的25、40、80毫欧产品，在电性能上与Cree C2M 1200V系列基本一致（如图可见，国基产品RDSON随结温的变化量较小，沟道电阻占比仍然较大，阈值电压与DMOS的Cree G2类似）。
同时，在器件可靠性上，在同温（150°）、同时（1000小时）测试条件下，国基产品可达到Cree同等水平（以1200V 80mΩ器件为例，如下图所示，同测试条件下，正、反向阈值电压基本一致）。
目前，国基南方1200V系列SiC MOSFET可提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7等多种封装形式，并在交期和价格上相比国外器件更具优势。具体电参数如下（以247-3为例）：
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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
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新能源汽车是“中国制造2025”战略的重点领域之一。在未来5年内，中国将超越美国，成为全球最大的电动汽车市场。中瑞宏芯在制造碳化硅器件领域的专有技术能够为电动汽车应用提供完整的解决方案。中瑞宏芯的产品可用于新能源汽车OBC、HV-LV DC-DC转换器、电驱逆变器、充电桩及电动空调压缩机控制器、PTC加热器等。
【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）
目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD
型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
【产品】35.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A080120B/K
WM1A080120B、WM1A080120K是中电国基南方的35.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET，漏源通态电阻80 mΩ，工作结温最高可达175℃。WM1A080120B晶片尺寸为3.0×4.5 mm²，WM1A080120K采用TO-247-3封装。两款产品具有阻断电压高、导通电阻低，电容低、能高速开关等特点，并且易于并联使用，驱动简单。
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SiC 电力电子器件产品简册
型号- WS4A020120A,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A030120K,WS4A020120B,WS4A020120D,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WMT040M120B1A,WS4A040120K,WS4A004065F0,WS4A010120E,WMIT075M120B1A,WS4A010120D,WS3A010170D,WS4A040120D,WS4A010120B,WS3A010170B,WS4A010120A,WM2HA050200K,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WM2V060075L,WS4A030065D,WM2HA040170N,WM2HA050200L,WM2HA100200L,WS4A020120J,WS4A020120K,WM2HA040170L,WM2HA050200N,WM2HA040170K,WM2HA100200K,WS1A025650B,WS4A008065B,WM2HV040120L,WM2HA100200N,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WS4A030065B,WM2A030065N,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2A030065L,WM2HA140120N,WM2A030065K,WS1A030330D,WS1A030330B,WMD075M120B1A,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2A030065Y,WM2HA080170N,WM2HA080170K,WM2HA080170L,WM2HV016120K,WS4A006065F,WS4A006065E,WM2HA020170L,WS4A004065A0,WS4A010120J,WS4A006065B,WM2HA020170K,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A040065K,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A010065B,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HA040120T,WM2HA025200L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA025200K,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WMH060M075A1A,WM2HV040065N,WM2A060065L,WM2HA030120T,WM2A060065Y,WS1B001500V,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2A040120N,WM1A650170N,WM2HV020120K,WM1A650170K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WM2A075120K,WS4A015120D,WM2A075120L,WS3A001330F,WM2A075120N,WS3A001330B,WS4A005120A,WS4A005120B,WM2HA040065N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2HA040065L,WM2V020065L,WM2HA040065K,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V040120N,WS4A020065A,WM2HA024200K,WM2V075120N,WS4A020065D,WM2HA024200L,WM2V075120K,WM2A050330B,WM2V075120L,WS4A020065B,WM2HV030120K,WM1A080120K1,WM2HA040065Y,WTSD1A25170D,WM2HA020065L,WS3A050170D,WS3A050170B,WM2HA016120L,WS3A002120A,WS4A015120A,WM2HA016120K,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WS3A002120E,WM2HV020065L,WM2HA016120T,WM2A060090N,WM2A060090K,WM2V030065N,WM1A080120L1,WM2V030065L,WM2A060090L,WM2V030065K,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2HV030120N,WS4A020065K,WM2HV030120L,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A160650B,WM1A01K170N,WS4A030120B
【应用】国产SiC MOS管WM1A01K170K助力光储辅助电源设计，耐压高达1700V
本文重点介绍国产中电国基南方1700V的SIC MOS管助力光储辅助电源设计，光储逆变器中，一般会有一套或者两套辅助电来给控制电路和驱动电路供电，针对1500V高压系统，200KW的组串式储能系统辅助电源则需要150W-200W的辅助电源。
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授权代理品牌：分立元件
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授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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