【选型】国产SIC肖特基功率二极管G3S12003C替换C4D02120E用于充电桩电源模块中，耗散功率大高达77W
充电桩电源模块设计中，随着CREE交期的拉长，推荐国产泰科天润SIC肖特基功率二极管G3S12003C替换CREE的C4D02120E，碳化硅二极管基本无开关损耗、效率高，对散热器要求降低、并联器件不会导致热失控的优点，被广泛应用于电源功率因数校正(PFC)。
图一 单级充电激励式PFC变换器电路图
如下为两款产品的典型电气参数对比：
分析表格参数，得出
1、反向重复峰值电压VRRM、反向直流电压VDC、反向浪涌峰值电压VRSM两款产品性能相当；
2、存储电荷QC，泰科天润相对更高；
3、耗散功率 PTOT，在25℃和110℃下G3S12003C功率更大，说明泰科天润散热性能更好，对散热器要求更低。
总结：从参数性能比较，两者差距不大，但从供货的周期、价格、常备库存等因素考虑泰科天润SIC二极管，交期短，供货稳定并可根据客户项目拿到原厂最好的价格优惠支持。
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【选型】泰科天润(GPT) SiC碳化硅肖特基二极管选型指南
目录- SiC碳化硅肖特基二极管
型号- G4S06520BT,G5S6506Z,G5S12016B,G4S06508HT,G3S06510C,G3S06510D,G3S06510A,G4S12020D,G3S06510B,G5S12015P,G3S17050PM,G3S12003R,G4S06506CT,G5S06508AT,G5S12015A,G5S12015D,G4S6508Z,G3S12003A,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S12003H,G5S12020PM,G3S06520L,G5S06510PT,G3S06520H,G5S12002R,G3S06550PM,G3S12002R,G3S06520P,G5S12015PM,G4S06508JT,G5S6504Z,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06520B,G3S12002D,G5S06508PT,G3S06520A,G5S12030PP,G3S12002H,G5S12016BM,G3S06540PP,G3S12010BM,G4S06516BT,G5S12005A,G4S06530BT,G5S12005C,G4S06503AT,G5S12005D,G5S06508QT,G5S12005H,G4S06510HT,G3S06530L,G6S12040BT,G4S06515AT,G5S12020BM,G3S06530P,G3S06502A,G1S33005P,G4S06510AT,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,G3S06502D,G3S06502C,G5S12010PM,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S06502CT,GAS06520A,G4S06515LT,G3S12010H,GAS06520H,G4H06510HT,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G5S12010M,G3S17020B,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,GAS06520L,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S12002C,G5S12002A,G4S06506RT,G3S12010A,G5S12002D,G3S12010B,G3S12010C,G4S12010LM,G3S12010D,G5S12002H,G3S06512B,G5S12010BM,G4S06510DT,G5S06502AT,G3S06510M,G3S06510K,G3S06510L,G3S06510J,G3S12020L,G4S12040BM,G3S06510H,G5S12030PPM,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06510R,G3S06510P,G3S12020U,G3S06506D,G53YT,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G5S12050PM,G3S06506J,G3S12020A,G5S12020A,G3S06506H,G3S12020B,G1S33001P,G5S12020D,G3S06505R,G3S06520PM,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G3S06505A,G5S06504CT,G1S3300.6P,G5S06510HT,G4S06508QT,G3S06505H,G3S06504R,G3S06560B,GAS06540B,G5S12040BM,G52YT,G4S12010PM,G3S06504C,G3S06504A,G3S06516B,G5S06508HT,G1S33003P,G5S06520BT,G3S06504J,G5S12010C,G5S12010D,G3S06504H,G5S12010A,G4S06508RT,G3S06504D,G3S06503R,G3S065100P,G4S06508AT,G5S06506CT,G51XT,G5S06505AT,G3S06503A,G1S33002P,G6S12020PT,G3S12040PP,G5S12008PM,G4H06510AT,G3S06503H,G5S06504QT,G3S06503C,G3S06503D,G5S12020H,G4S06510PT,G5S12040PPM,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06502R,G5S12008D,G4S06506HT,G5S12008C,G5S12008H,G4S06515CT,G5S06510CT,G5S12008M,G3S06530A,G5S12008P,G3S12040B,G5S12040B,G4S06540PT,G5S12030BM,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,G4S06515DT,G5S06510DT,G4S06503CT,G5S06520AT,G4S06510JT,G3S17005C,G3S17005A,G3S06508R,G4S12020BM,G5S12050P,G3S12050P,G5S06510AT,G3S06508D,G3S06508C,G3S06508A,G3S06540B,G5S12030B,G3S06508J,G3S06508H,G5S06510QT,G3S12005P,G3S12005R,G5S06508CT,G4S12020PM,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G5S12040PP,G5S06506QT,G3S06506U,G3S06506R,G3S06530PM,G3S06550P,G5S06508DT
泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型，覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等，覆盖常规功率段，晶圆尺寸：4寸/6寸，VRRM(V)：650V-3300V。
|
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
G5S06520DT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了泰科天润半导体科技（北京）有限公司生产的G5S06520DT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。
型号- G5S06520DT
G3S12003C 1200V/3A 碳化硅肖特基功率二极管 数据手册
描述- 本资料介绍了泰科天润半导体科技（北京）有限公司生产的G3S12003C碳化硅肖特基功率二极管的产品特性、参数和应用领域。该产品具有正温度系数、零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点，适用于开关模式电源、电机驱动等领域。
型号- G3S12003C
【应用】650V耐压国产SiC二极管G3S06540B在不间断电源（UPS）PFC电路上的应用
典型的不间断电源电路通常在整流后接入PFC电路，作为功率因数校正，以提高对电力的利用，达到节能的作用，常用的PFC电路其中在二极管的选择上通常会用SIC二极管，在PFC电路起到续流，整流二极管用，利用其零反向恢复电流，零正向恢复电压，相比普通的快恢复肖特基二极管，用SIC二极管有利于提高电源效率。 国产品牌泰科天润推出的G3S06540B SIC二极管具有650V耐压，单只脚达到20A的正向电流。
G4S06506RT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了G4S06506RT型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，适用于高温和高频工作环境，主要应用于开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等领域。
型号- G4S06506RT
泰科天润即将亮相23慕尼黑华南电子展，展示SiC MOSFET、混合单管、碳化硅二极管等系列产品
慕尼黑华南电子展将于2023年10月30-11月1日在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大举行。作为国内知名的碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，泰科天润（展位号：1号馆·1F33）即将亮相慕尼黑华南电子展。
森国科碳化硅产品性能对标国际大厂，SiC二极管使用6寸晶圆工艺
深圳市集成电路产业协会于2021年4月16日召开了会员大会，深圳市森国科科技股份有限公司在表彰中荣膺“最佳碳化硅功率器件设计奖”，能在主流产品上对标国外大厂参数指标，SiC二极管系列产品使用6寸晶圆生产，主要分为650V和1200V系列。
G3S06506R 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了泰科天润半导体科技（北京）有限公司生产的G3S06506R碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、应用领域等。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点，适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G3S06506R
G3S06004J 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了型号为G3S06004J的碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特点，适用于高温和高频工作环境。其产品优点包括单极性器件、极大降低开关损耗、并联使用无热崩溃以及降低散热片的要求。
型号- G3S06004J,G3S06004JDDDDD
G3S06510A 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了G3S06510A碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，适用于高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性设计，极大降低开关损耗，并支持并联使用而不会发生热崩溃。
型号- G3S06510A
G21YT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了G21YT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点，适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G21YT
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
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授权代理品牌：电源及模块
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授权代理品牌：电工工具及材料
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