【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装
扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装，Trench低压功率MOSFET技术，可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作，稳态下结至外壳热阻最大值为3.9℃/W。
图1 YJQ50N03A外观和内部电路图
YJQ50N03A的主要技术参数如下：
●漏源电压最大额定值为30V
●漏极电流（Tc = 25℃）可达50A
●低导通电阻RDS（ON）
●低门极电荷
●静态导通电阻典型值4.3mΩ（VGS=10V）
●静态导通电阻典型值5.4mΩ（VGS=4.5V）
●Trench低压功率MOSFET技术
●DFN3.3×3.3封装
●优化于高速开关应用
YJQ50N03A的主要应用：
●同步整流应用于AC/DC或者DC/DC电源转换器中
●工业及电机驱动应用
YJQ50N03A的订购信息：
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