【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装

时间： 2021-01-31 来源：扬杰科技

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扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装，Trench低压功率MOSFET技术，可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作，稳态下结至外壳热阻最大值为3.9℃/W。

图1 YJQ50N03A外观和内部电路图

YJQ50N03A的主要技术参数如下：

●漏源电压最大额定值为30V

●漏极电流（Tc = 25℃）可达50A

●低导通电阻R_DS（ON）

●低门极电荷

●静态导通电阻典型值4.3mΩ（V_GS=10V）

●静态导通电阻典型值5.4mΩ（V_GS=4.5V）

●Trench低压功率MOSFET技术

●DFN3.3×3.3封装

●优化于高速开关应用

YJQ50N03A的主要应用：

●同步整流应用于AC/DC或者DC/DC电源转换器中

●工业及电机驱动应用

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