【产品】650V/30A高速大功率绝缘栅双极型晶体管，集电极-发射极饱和电压仅为1.35V
RENESAS（瑞萨）公司采用了自行研发的第七代IGBT技术制作了一款采用隔离封装的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）——RJP65T54DPM-A0，其具有独特的沟槽栅配置，并采用了薄化晶圆制造工艺，工作频率范围在50Hz到20kHz之间。RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的集电极到发射极电压VCES高达650V，栅极到发射极电压VGES额定值为30V；在TC = 25℃的情况下，集电极电流为60A，在TC = 100℃的情况下，集电极电流额定值为30A。能够满足高压大电流应用环境的需求。主要应用于电动工具，电动汽车动力系统，逆变电源，轨道交通等应用领域。
图1.RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）产品图&原理图
首先从开关速度的角度分析。RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的开通延迟时间td(on)典型值仅为31ns，上升时间tr典型值为22ns，关断延迟时间典型值为128ns，下降时间典型值为156ns。因此，产品具有开关速度快、切换速度高的优势。（以上参数均在VCC=400V，VGE=15V，IC=30A，Rg=10Ω情况下测得）
然后从开关损耗的角度分析。RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的开通能量损耗典型值为0.47mJ，关断能量损耗典型值为1.04mJ，能量损耗极少，开通/关断过程中的产热极低；此外，RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的栅极电荷总量典型值为72nC，栅极-发射极电荷典型值为10nC，栅极-集电极电荷典型值为30nC，电荷量低，开关充放电时间短。因此，具有更低的开关损耗，获得更高的开关速度（以上参数均在VCC=400V，VGE=15V，IC=30A情况下测得）；同时，RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的集电极到发射极的饱和电压VCE（sat）的典型值低至1.35V，最大值仅为1.68V，器件更易于驱动。
最后值得一提是，RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的集电极功耗为63.5W，结壳热阻仅为2.35°C/W，器件热传导性能良好，为大功率应用提供良好的散热保障。该系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的存储温度范围在-55℃到150℃之间，最大结温为175℃。能够耐受苛刻的温度环境，环境可靠性极高，可用于开关电路。
图2.RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的外形尺寸图
RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的主要产品特性：
·隔离封装，沟槽栅极和薄晶圆技术
·低集电极到发射极饱和电压VCE（sat）=1.35V（典型值）
·集电极到发射极电压达650V，集电极电流为30A（TC=100℃）
·开通延迟时间典型值仅为31ns，关断延迟时间典型值为128ns
·宽工作频率为50Hz~20kHz
·结壳热阻仅为2.35°C/W，热传导性能良好
·存储温度范围为-55℃~150℃
RJP65T54DPM-A0绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的市场应用：
·部分开关电路
·电动汽车动力系统
·装备及逆变电源
·车身和底盘
·轨道交通
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IC哥 Lv7. 资深专家 2018-11-10不错 -
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