【经验】几种MOS管防反接防过压电路解析
关于MOS管防反接防过压电路您有了解吗?本文HI-SEMICON将为您介绍几种MOS管防反接防过压电路。
当电源正确接入时。电流的流向是从V到负载,在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在,地回路通过体二极管接通,后续因为Vcs大于VGSTH门限电压,MOS管导通。当电源接反时,体二极管不通,并且VGs的电压也不会符合要求,所有NMOS管不通,电路中没有电流回路,断路负载不工作,也不会烧坏实现了保护。需要提起的是当电源正常接入时,电路中的电流是从S到D。与常规NMOS管使用的电流方向是不同的。电路需要注意,正常情况下Vcs不能大于NMOS管的Vcs最大耐压值,如果超过了可以在VGs上面跨接一个稳压管防止烧坏。
VIN正常输入电压时,稳压管没有反向击穿,R3、R4电流基本为0。PNP三极管的VBE=0,即PNP三极管不导通。PMOS管Q4的Vcs由电阻R5、R6分压决定,PMOS管导通,即电源正常工作。当VI输入大于正常输入电压,此时VIN>VBR,稳压管被击穿,其上电压为VBR。PNP三极管Q1导通,VcE≈0,即PMOS管的Vcs≈0,PMOS管不导通,电路断路,即实现了过压保护。
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