【选型】耗散功率高达410mW的齐纳二极管用于汽车电机驱动项目,较低的齐纳阻抗带来更精确的稳压值
部分汽车电机驱动电路中,常常由N型场效应管和P型场效应管构成驱动半桥;为提高功率P型场效应管的开关速度,会使用分离元器件搭建栅极驱动电路,而典型的栅极驱动电路中会使用到一颗稳压值大约15V的齐纳二极管;强茂推出的稳压二极管BZX84C15-AU_R1_000A1稳压值15V,耗散功率高达410mW。本文就BZX84C15-AU_R1_000A1从功能以及性能参数方面进行分析,从而讨论其用于车用电机驱动项目中的优势。
BZX84C15-AU_R1_000A1性能参数:
由上表可知,BZX84C15-AU_R1_000A1齐纳电流5mA时的齐纳阻抗低至30Ω,较低的齐纳阻抗带来更精确的稳压值;高达410mW的耗散功率以及低至500℃/W的热阻,适用范围更广;-55℃-150℃工作温度范围,以及满足AEC-Q101认证要求,完全满足汽车电子设计要求。
典型P型场效应管栅极驱动电路
由上图可知稳压管BZX84C15-AU_R1_000A1和旁路电阻R2共同组成一个限流电路用于保护MOS管,防止其过流损坏。
BZX84C15-AU_R1_000A1封装尺寸
综上所述,BZX84C15-AU_R1_000A1作为齐纳二极管用于汽车电机驱动项目时,在稳压值精确度以及适用范围方面具有一定的优势。
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BZT52-B2V4S SERIES SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
型号- BZT52-B2V4S_R2_00001,BZT52-B5V1S,BZT52-B2V4S,BZT52-B3V3S,BZT52-B18S,BZT52-B28S,BZT52-B43S,BZT52-B6V8S,BZT52-B75S,BZT52-B7V5S,BZT52-B11S,BZT52-B33S,BZT52-B8V2S,BZT52-B9V1S,BZT52-B47S,BZT52,B2V4S SERIES,BZT52-B13S,BZT52-B27S,BZT52-B6V2S,BZT52-B15S,BZT52-B3V9S,BZT52-B51S,BZT52-B2V4S_R1_00001,RB500V-40_R2_00001,BZT52-B4V3S,BZT52-B17S,BZT52-B39S,BZT52-B3S,BZT52-B10S,BZT52-B8V7S,BZT52-B20S,BZT52-B12S,BZT52-B56S,BZT52-B22S,BZT52-B14S,BZT52-B36S,BZT52-B24S,BZT52-B68S,BZT52-B16S,BZT52-B2V7S,BZT52-B3V6S,BZT52-B4V7S,BZT52-B5V6S,BZT52-B5V8S,BZT52-B30S,B2V4S,BZT52-B62S
GLZ2.0 SERIES SURFACE MOUNT ZENER DIODES
型号- GLZ 51,GLZ 3.3A,GLZ 3.3B,GLZ 6.2C,GLZ 56,GLZ 9.1C,GLZ 6.2B,GLZ 9.1A,GLZ 6.2A,GLZ 9.1B,GLZ 11C,GLZ 11A,GLZ 11B,RB500V-40_R2_00001,GLZ 4.7B,GLZ 4.7C,GLZ 4.7A,GLZ 12B,GLZ 24C,GLZ 36D,GLZ 12C,GLZ 24D,GLZ 24A,GLZ 36B,GLZ 12A,GLZ 24B,GLZ 36C,GLZ 36A,GLZ 2.0B,GLZ 2.0A,GLZ 13C,GLZ2.0A_R1_10001,GLZ 13A,GLZ 13B,GLZ 2.7B,GLZ 2.7A,GLZ 5.6B,GLZ 5.6C,GLZ2.0A_R2_10001,GLZ 30D,GLZ 5.6A,GLZ 30B,GLZ 30C,GLZ 30A,GLZ 5.1A,GLZ 5.1B,GLZ 5.1C,GLZ 2.2B,GLZ 2.2A,GLZ 15C,GLZ 27D,GLZ 15A,GLZ 27B,GLZ 39C,GLZ 15B,GLZ 27C,GLZ 39D,GLZ 39A,GLZ 27A,GLZ 39B,GLZ 4.3B,GLZ 4.3C,GLZ 3.6A,GLZ 3.6B,GLZ 4.3A,GLZ 20C,GLZ 20D,GLZ 20A,GLZ 20B,GLZ 16B,GLZ 16C,GLZ2.0,GLZ 16A,RB500V-40,GLZ 8.2C,GLZ 7.5C,GLZ 2.4B,GLZ 8.2A,GLZ 2.4A,GLZ 8.2B,GLZ 6.8B,GLZ 6.8A,GLZ 3.9A,GLZ 7.5B,GLZ 3.9B,GLZ 6.8C,GLZ 7.5A,GLZ 33C,GLZ 33D,GLZ 33A,GLZ 33B,GLZ 18A,GLZ 3.0B,GLZ 41,GLZ 43,GLZ 3.0A,GLZ 47,GLZ 10D,GLZ 10B,GLZ 22C,GLZ 10C,GLZ 22D,GLZ 22A,GLZ 10A,GLZ 22B,GLZ 18B,GLZ 18C
PZ1AFC2V5B ~ PZ1AFC75B Series Silicon Zener Diode
型号- PZ1AFC19B,PZ1AFC2V5B,PZ1AFC27B,PZ1AFC4V3B,PZ1AFC15B,PZ1AFC75B SERIES,PZ1AFC17B,PZ1AFC39B,PZ1AFC4V7B,PZ1AFC5V6B,PZ1AFC11B,PZ1AFC33B,PZ1AFC3V6B,PZ1AFC25B,PZ1AFC47B,PZ1AFC13B,PZ1AFC51B,PZ1AFC43B,PZ1AFC75B,PZ1AFC8V7B,PZ1AFC2V5B SERIES,PZ1AFC5V1B,PZ1AFC16B,PZ1AFC18B,PZ1AFC6V0B,PZ1AFC28B,PZ1AFC12B,PZ1AFC56B,PZ1AFC6V2B,PZ1AFC22B,PZ1AFC8V2B,PZ1AFC9V1B,PZ1AFC14B,PZ1AFC36B,PZ1AFC24B,PZ1AFC68B,PZ1AFC30B,PZ1AFC7V5B,PZ1AFC62B,PZ1AFCXXXB,PZ1AFC10B,PZ1AFC3V9B,PZ1AFC6V8B,PZ1AFC20B
BZT52-C2V4~BZT52-C75 SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
型号- BZT52-C2V4_R1_00001,BZT52-C51,BZT52-C30,BZT52-C75,BZT52-C10,BZT52-C11,BZT52-C33,BZT52-C4V7,BZT52-C5V6,BZT52-C12,BZT52-C56,BZT52-C3V9,BZT52-C7V5,BZT52-C13,BZT52-C2V7,BZT52-C3V6,BZT52-C14,BZT52-C36,BZT52-C3,BZT52-C8V2,BZT52-C9V1,BZT52-C15,BZT52-C4V3,BZT52-C16,BZT52-C6V2,BZT52-C17,BZT52-C39,BZT52-C18,BZT52-C2V4,BZT52-C3V3,BZT52-C5V1,BZT52-C8V7,BZT52-C6V8,RB500V-40_R2_00001,BZT52-C62,BZT52-C20,BZT52-C43,BZT52-C22,BZT52-C24,BZT52-C68,BZT52-C47,BZT52-C27,BZT52-C28,BZT52-C2V4_R2_00001
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强茂是一家全球领先的半导体分离器件制造商,拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,致力于整流二极管、功率半导体、浪涌抑制器等产品的研发生产,其半导体分离器件二极管类在全球市场排名前十。1SMB3EZ5.6-AU~1SMB3EZ51-AU是强茂电子推出的齐纳电压标称值范围为5.6V~51V,稳态耗散功率为3W的PN结玻璃钝化硅齐纳二极管,采用SMB/DO-214AA封装。
MMSZ5221B ~ MMSZ5267B Series SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
型号- MMSZ5261B,MMSZ5241B,MMSZ5253B,MMSZ5258B,MMSZ5226B,MMSZ5238B,MMSZ5254B,MMSZ5222B,MMSZ5266B,MMSZ5234B,MMSZ5246B,MMSZ5250B,MMSZ5262B,MMSZ5230B,MMSZ5242B,MMSZ5221B SERIES,MMSZ5247B,MMSZ5259B,MMSZ5227B,MMSZ5239B,MMSZ5243B,MMSZ5255B,MMSZ5267B,MMSZ5223B,MMSZ5235B,MMSZ5251B,MMSZ5263B,MMSZ5231B,MMSZ5236B,MMSZ5248B,MMSZ52XXB,MMSZ5228B,MMSZ5232B,MMSZ5244B,MMSZ5256B,MMSZ5224B,MMSZ5240B,MMSZ5252B,MMSZ5264B,MMSZ5267B SERIES,MMSZ5260B,MMSZ5225B,MMSZ5237B,MMSZ5249B,MMSZ5221B,MMSZ5265B,MMSZ5233B,MMSZ5245B,MMSZ5257B,MMSZ5229B
1N4678 SERIES AXIAL LEAD ZENER DIODES Data sheet
型号- 1N4701,1N4689,1N4700,1N4703,1N4702,1N4705,1N4704,1N4707,1N4706,1N4709,1N4708,1N4691,1N4690,1N4693,1N4692,1N4695,1N4694,1N4697,1N4696,1N4699,1N4710,1N4678_AX_10001,1N4698,1N4679,1N4712,1N4678,1N4711,1N4714,1N4713,1N4716,1N4715,1N4717,RB500V-40_R2_00001,1N4678_R2_10001,1N4680,1N4678_AY_10001,1N4682,1N4681,1N4684,1N4683,1N4686,1N4685,1N4688,1N4687,1N4678_B0_10001
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MMBZ5221B ~ MMBZ5267B Series SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
型号- MMBZ5226B,MMBZ5238B,MMBZ5246B,MMBZ5258B,MMBZ5222B,MMBZ5266B,MMBZ5234B,MMBZ5242B,MMBZ5254B,MMBZ5262B,MMBZ5230B,MMBZ5250B,MMBZ5239B,MMBZ5259B,MMBZ5227B,MMBZ5235B,MMBZ5247B,MMBZ5255B,MMBZ5267B,MMBZ5223B,MMBZ5231B,MMBZ5243B,MMBZ5251B,MMBZ5263B,MMBZ5267B SERIES,MMBZ5228B,MMBZ5248B,MMBZ5224B,MMBZ5236B,MMBZ5244B,MMBZ5256B,MMBZ5264B,MMBZ5232B,MMBZ52XXB,MMBZ5240B,MMBZ5252B,MMBZ5260B,MMBZ5229B,MMBZ5237B,MMBZ5249B,MMBZ5257B,MMBZ5225B,MMBZ5233B,MMBZ5245B,MMBZ5253B,MMBZ5221B,MMBZ5265B,MMBZ5241B,MMBZ5261B,MMBZ5221B SERIES
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PANJIT(强茂)推出4.3~43V / 500mW的表面安装硅的齐纳二极管MMSZ4687-V ~ MMSZ4717-V系列。平面模具结构 ,500mW功耗,支持自动化贴装,无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准,符合IEC 61249标准的绿色环保型塑封。
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MMBZ5221BTW ~ MMBZ5267BTW Series SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
型号- MMBZ5232BTW,MMBZ5267BTW SERIES,MMBZ5249BTW,MMBZ5226BTW,MMBZ5261BTW,MMBZ5265BTW,MMBZ5245BTW,MMBZ5222BTW,MMBZ5251BTW,MMBZ5259BTW,MMBZ5236BTW,MMBZ5255BTW,MMBZ5231BTW,MMBZ5225BTW,MMBZ5262BTW,MMBZ5221BTW SERIES,MMBZ5241BTW,MMBZ5246BTW,MMBZ5229BTW,MMBZ5266BTW,MMBZ52XXBTW,MMBZ5221BTW,MMBZ5242BTW,MMBZ5235BTW,MMBZ5252BTW,MMBZ5239BTW,MMBZ5256BTW,MMBZ5230BTW,MMBZ5224BTW,MMBZ5240BTW,MMBZ5228BTW,MMBZ5247BTW,MMBZ5263BTW,MMBZ5267BTW,MMBZ5243BTW,MMBZ5234BTW,MMBZ5253BTW,MMBZ5257BTW,MMBZ5238BTW,MMBZ5233BTW,MMBZ5223BTW,MMBZ5227BTW,MMBZ5260BTW,MMBZ5248BTW,MMBZ5264BTW,MMBZ5244BTW,MMBZ5237BTW,MMBZ5250BTW,MMBZ5258BTW,MMBZ5254BTW
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