【产品】ROHM新推出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”，低35％开关损耗、更高开关速度
2019年9月24日，全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构sic mosfet “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
此次新开发的系列产品采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比，开关损耗可降低约35％，非常有助于进一步降低各种设备的功耗。
近年来，随着AI和IoT的发展与普及，对云服务的需求日益增加，与此同时，在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展，而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面，以往服务器的功率转换电路中，主要采用的是硅（Si）元器件，如今，损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是采用了TO-247-4L封装的SiC MOSFET，与以往封装相比，可降低开关损耗，因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。
2015年，ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V／1200V耐压的低损耗SiC MOSFET，未来也会继续推进创新型元器件的开发，同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案，为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。
采用4引脚封装（TO-247-4L），开关损耗降低约35％
在传统的3引脚封装（TO-247N）中，源极引脚的电感分量）会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。
此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装（TO-247-4L），可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。
SCT3xxx xR系列是采用沟槽栅结构的SiC MOSFET。此次新推出了共6款机型，其中包括650V的3款机型和1200V的3款机型。
应用：
服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。
评估板信息：
SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于SiC元器件驱动的ROHM栅极驱动器IC（BM6101FV-C）、各种电源IC及分立产品，可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境，该评估板不仅可以评估TO-247-4L封装的产品，还可安装并评估TO-247N封装的产品。另外，使用该评估板，可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 29
本文由charles_song提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（29）
-
![]()
![]()
加一 Lv7. 资深专家 2019-11-26学习 -
![]()
![]()
小小哥布林 Lv7. 资深专家 2019-11-26学习 -
![]()
![]()
feiwithout Lv7. 资深专家 2019-11-23学习支持 -
![]()
![]()
用户23083574 Lv5. 技术专家 2019-11-18学习 -
![]()
![]()
sxy4517 Lv5. 技术专家 2019-11-18学习一下 -
![]()
![]()
cherryyang Lv7. 资深专家 2019-11-17学习 -
![]()
![]()
Arvin.Wang Lv8. 研究员 2019-11-14学习 -
![]()
![]()
chxn Lv6. 高级专家 2019-11-07学习 -
![]()
![]()
Arvin.Wang Lv8. 研究员 2019-11-07学习 -
![]()
![]()
先天二极管 Lv8. 研究员 2019-11-05学习学习
正在努力加载……相关推荐
【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KE，采用TO-247N封装，可用于太阳能逆变器等领域
最近罗姆（ROHM）公司最近推出了一款TO-247N封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4036KE，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准。驱动电路简单，易于并联使用，可用于太阳能逆变器，DC/DC转换器，开关电源，感应加热和电机驱动。
【产品】1200V/24A N沟道SiC功率MOSFET型号SCT3105KR，具有低导通电阻特性，可应用于太阳能逆变器
ROHM公司推出的N沟道SiC功率MOSFET SCT3105KR，其采用TO-247-4L封装，具有低导通电阻、开关速度快与快速反向恢复等特征，且易于驱动，符合RoHS标准，可应用于太阳能逆变器，DC / DC转换器、开关电源、感应加热、电机驱动等应用领域。
【产品】ROHM新推第4代SiC MOSFET SCT4036KR，有助于应用实现小型化和低功耗
ROHM推出的SCT4036KR是有助于应用实现小型化和低功耗的第4代SiC MOSFET，可在不牺牲短路耐受时间的情况下实现行业领先的低导通电阻。它采用带驱动源端子的4引脚封装类型，可以最大限度地发挥SiC MOSFET的高速开关性能特点。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略
在SiC MOS应用中，通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰，主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中，并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。
B2M065120T SiC MOSFET
本资料详细介绍了B2M065120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高功率密度和低热沉要求。
基本半导体 - 半桥模块SIC 1200V MOSFET,HALF BRIDGE MODULE SIC 1200V MOSFET,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M065120T,开关模式电源,DC/DC变换器,微型逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,OBC,SOLAR INVERTER,MOTOR DRIVERS,MICRO INVERTER,电动机驱动器,太阳能逆变器,SMPS,DC/DC CONVERTER,模式电源开关
【经验】基于SiC MOSFET设计的ANPC电路，其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析
Vincotech 碳化硅（SiC） MOSFET能够满足1500V太阳能逆变器的高开关速度、高系统效率要求，可实现高集成度和高功率密度，但在开关性能方面仍有不足之处。本文基于SiC MOSFET设计的ANPC电路，介绍其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析。
ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFETS,SIC MOSFET,SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
B2M040120T SiC MOSFET
本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。
基本半导体 - 半桥模块SIC 1200V MOSFET,HALF BRIDGE MODULE SIC 1200V MOSFET,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M040120T,开关模式电源,DC/DC变换器,微型逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,OBC,SOLAR INVERTER,MOTOR DRIVERS,MICRO INVERTER,电动机驱动器,太阳能逆变器,SMPS,DC/DC CONVERTER,模式电源开关
IV2Q171R0D7–1700V 1000mΩSiC MOSFET
本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q171R0D7型号1700V 1000mΩ碳化硅MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、高结温操作能力和快速且坚固的本征体二极管等特点。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV2Q171R0D7,SOLAR INVERTERS,AUXILIARY POWER SUPPLIES,SMART METERS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,辅助电源,智能电表
IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET
本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12080T4,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS
B2M600170R SiC MOSFET
这份资料详细介绍了B2M600170R型号的SiC MOSFET的特性、参数和应用。该产品具有低导通电阻、高阻断电压、低电容和雪崩 ruggedness 等特点，适用于高频操作，提高开关频率，增加功率密度，并减少散热器需求。资料中还包括了产品的最大额定值、电气特性、热特性、开关特性、反向二极管特性和典型性能等详细信息。
基本半导体 - 碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M600170R,开关模式电源,DC/DC变换器,电源逆变器,EV充电站,POWER INVERTER,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,EV CHARGING STATION,SOLAR INVERTER,MOTOR DRIVERS,电动机驱动器,太阳能逆变器,DC/DC CONVERTER,SMPS,模式电源开关
CRXQF40M120G1 SiC MOSFET 1200V，40mΩ，55A
本资料介绍了CRXQF40M120G1型碳化硅（SiC）MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器和电动汽车充电器等领域。
华润微电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,CRXQF40M120G1,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,EV CHARGE,太阳能逆变器,EV充电,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
SiC MOSFET 栅极-源极电压的浪涌抑制方法 Application Note
本应用手册主要探讨了SiC MOSFET在开关动作过程中栅极-源极电压浪涌的产生原因及抑制方法。详细分析了桥式电路中开关动作产生的栅极-源极电压浪涌现象，并提出了浪涌抑制电路的设计方案，包括正向和负向浪涌的抑制措施。同时，对浪涌抑制电路的布线设计进行了说明，以确保电路的稳定性和效率。
ROHM - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,SCT3040KR,SCT3040KR 4L
B2M080120R SiC MOSFET
本资料介绍了B2M080120R型号的碳化硅(SiC) MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于高频操作，提高功率密度并减少散热器需求。
基本半导体 - 碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M080120R,开关模式电源,DC/DC变换器,电源逆变器,EV充电站,POWER INVERTER,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,EV CHARGING STATION,SOLAR INVERTER,MOTOR DRIVERS,电动机驱动器,太阳能逆变器,SMPS,DC/DC CONVERTER,模式电源开关
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论