【产品】650V/4A的N沟道增强型MOSFET PJF4N65M，导通电阻＜2.8Ω
强茂（PANJIT）推出的PJF4N65M N沟道增强型MOSFET，采用ITO-220AB-F封装，漏极-源极电压最大值为650V，Tc=25℃时的连续漏极电流最大值为4A，具有开关速度快、改进的dv/dt能力、栅极电荷低等特点。
产品特点：
· 漏极-源极导通电阻：RDS(ON)<2.8Ω（@ VGS=10V，ID=2A）
· 开关速度快
· 改进的dv/dt能力
· 栅极电荷低
· 无铅，符合EU RoHS 2.0标准
· 符合IEC 61249标准的绿色环保塑封
机械参数：
· 外壳：ITO-220AB-F封装
· 端子：可焊性依据MIL-STD-750，方法2026
· ITO-220AB-F重量约为：0.068盎司，2克
最大额定值和热阻：（TA=25℃，除非另有说明）
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现货市场
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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