【经验】Melexis发射器芯片进行FSK调试时的晶体选型要点
晶体选型要点一:
根据FSK调制的杂散抑制要求,晶体选型应满足:
1、离主频最近的杂散频率,距离主频应大于100KHz。
2、所有杂散频率的功率比主频小10dB以上。
当晶体选型满足这两条要求时,FSK的数据速率可高于5kbits/s,且FSK频偏可在±15kHz以上。
图1和图2是满足选型要求的晶体的两种频谱图,可供参考。
图1:晶体类型 13.56000MHz/HC-49-SMD
图2:晶体类型 13.56000MHz/HC-49-SMD
图3和图4是满足选型要求的晶体的另外两种频谱图,可供参考。
图3:晶体类型 13.56000MHz/HC-49-SMD
图4:晶体类型 13.56000MHz/06-03-SMD
晶体选型要点二:
当晶体的杂散频率太靠近主频时(出现在距离主频100kHz的范围内),此时晶体只能用于窄带FSK调制。晶体频谱如图5所示。
此时应注意:1、FSK调制可以使用,但数据速率必须小于5kbits/s。
2、FSK的频偏不能超过±5kHz。
图5:晶体类型 13.56000MHz/HC-49-SMD
理论依据
图5的晶体频谱中,在主频附近出现了一个明显的杂散频率。根据FSK调制理论,选型合适的晶体在其主频附近必须是无杂散的。
当使用较高的调制频率或快速数字调制时(通常超过10kHz),可能会出现窄带干扰和调制过冲。这是由于晶体的杂散响应与射频调频信号的贝塞尔谱的旁瓣的干扰所导致的。因此,对于低失真调制,晶体在f0±fmod的频率范围内应该只有很弱的边带,才能避免一阶贝塞尔谱的干扰。
因此,对于FSK调制,主频和杂散响应间的频率差应该大于100kHz。
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