使用SiC MOSFET实现零开关损耗，开关损耗不再是开关频率限制因素

时间： 2021-06-21 来源：即思创意

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一篇在IEEE学报上发表的电力电子技术报告表明，SiC MOSFET的开关损耗在某种控制策略下可以完全消除。该项研究由德克萨斯大学奥斯丁分校的Alex Q. 黄教授团队和电子科技大学的张波（音译）教授团队主导。他们通过TCAD仿真分析了开关过程，发现在采用传统方法测量开关损耗中，由于MOSFET输出电容（Coss）的充放电电流无法直接测量，造成低估了导通损耗，而高估了关断损耗。

研究表明，利用零电压开关（ZVS）开通时恢复存储在输出电容中的能量（Eoss），并使用更强的栅级驱动和减少寄生电容，来实现零关断损耗（ZTL），这便做到了零开关损耗（ZSL）。通过ZSL，由开关动作引起的功率损耗不再是系统频率的限制，并且结论在实验中得到了验证。换而言之，限制开关频率上限的因素不再是开关损耗，其被其他频率相关的损耗替代，例如磁芯/绕组损耗，驱动损耗和实现零电压开关的最小死区时间等。

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