【选型】高性价比替代STPSC20065的国产SiC肖特基二极管B1D20065H，基本参数一致
SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压，散热要求低，是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用ST的SiC肖特基二极管STPSC20065居多，但由于供货周期和价格等原因，许多客户急需高性价比的替代产品。本文重点推荐国产基本半导体（BASIC）的B1D20065H可替代STPSC20065，典型电性能参数对比分别如下图1所示。
图1 B1D20065H与STPSC20065典型电性能参数对照表
基本半导体的B1D20065H与STPSC20065的封装分别为TO-247-2L和DO-247，其内部结构和引脚定义如下图2所示。
图2 B1D20065H与STPSC20065内部结构和引脚定义
通过如上图易知：
SiC肖特基二极管B1D20065H与STPSC20065的典型电性能参数、内部结构和引脚定义基本一致，可实现兼容设计，无需更改任何外部电路。
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B2D20065HC1 SiC肖特基二极管
描述- 该资料介绍了B2D20065HC1型号的碳化硅肖特基二极管。这种二极管具有极低的反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性以及正的温度系数等特点。它适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
型号- B2D20065HC1
基本半导体碳化硅肖特基二极管选型表
提供基本半导体碳化硅肖特基二极管选型，抗浪涌电流能力强高，反向漏电低，覆盖电压 650V/1200V,正向平均电流 2A-20A
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产品型号
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品类
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VRRM
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IF
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IFSM
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VF
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Ptot
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QC
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B1D02065K
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碳化硅肖特基二极管
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650V
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2A
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16A
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1.4V
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39W
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6.8nC
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选型表 - 基本半导体 立即选型
B3D40065HC SiC肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了B3D40065HC型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、热特性、典型性能和应用领域。该二极管具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特点，适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
型号- B3D40065HC
B2D40065HC1 SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了B2D40065HC1型号的碳化硅肖特基二极管，该器件具有650V重复峰值反向电压和40A连续正向电流。它采用TO-247-3封装，具备极低的反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性以及正温度系数等特点。该产品适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
型号- B2D40065HC1
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型号- B3D50120H2
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型号- B2D10065Q
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型号- B2D06065E
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