【产品】采用PDFN表贴封装的P沟道MOSFET 2KJ7118DFN，最大漏源电压达-30V
创新是科信（KEXIN）发展的原动力，从事SMD表面贴片分立器件生产、研发、销售34年，一直专注SMD表面贴片分立器件小型化。高质量的电子设备离不开高质量的元器件，高质量的元器件离不开高质量的原材料。科信作为SMD表面贴片分立器件领域的创新者，一直通过研发新型电子器件与技术，支持着电子社会基础设施建设与发展。
科信推出产品型号为2KJ7118DFN的P沟道MOSFET，最大漏源电压高达-30V，漏极直流电流最大-36.1A，导通内阻低于12mΩ@VGS=-10V，采用PDFN表贴封装，适用于大电流开关电路设计需求。
产品框图
产品特点：
VDS=-30V
ID=-36.1 A
RDS(on)<12mΩ@VGS=-10V
RDS(on)<19mΩ@VGS=-4.5V
绝对最大额定值（默认Ta=25℃，除非另有说明）
说明1：器件安装在1平方英寸的有2盎司铜皮厚度的FR4基板上测试。
电气参数特性（默认Ta=25℃，除非另有说明）
说明1：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
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