【产品】提高追求高可靠性第三代SiC-SBD——效率与安全余量
ROHM推出第三代SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）的亮点在于，高温时的正向电压VF更低、抗浪涌电流性能IFSM更高、反向电流（漏电流）IR更低。
请看下图，第二代SiC-SBD通过制造工艺改进，不仅保持与第一代同等的漏电流IR和恢复特性，还成功将VF降低至约0.15V，达到当时业界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低设备的传导损耗。
第三代SiC-SBD为提高抗浪涌电流性能并改善漏
电流IR，采用了JBS（Junction Barrier Schottky）结构。JBS结构是基本上有效改善抗浪涌电流性能和漏电流IR的结构，而且第二代SiC-SBD实现的低VF特性还成功得以进一步改善。Tj＝25℃时的typ值为1.35V，与第二代同等，但Tj＝150℃时为1.44V，比第二代SiC-SBD低0.11V。这意味着高温环境下的导通损耗降低，在高温环境下的工作变得更有利。
抗浪涌电流性能和漏电流看来得到了相当大的改善。
抗浪涌电流性能如表格中的额定值所示，从第二代SiC-SBD的38A提高到了1倍以上，高达82A。通过采用JBS结构，并开发最大限度地发挥抗浪涌性能的工艺与产品结构，实现了抗浪涌电流性能的大幅改善。
漏电流IR也同样得到大幅改善。普通肖特基势垒二极管的特性存在一种矛盾关系，即当试图降低正向电压时，漏电流就会增加。第三代SiC-SBD不仅继承了正向电压低的特点，还通过采用JBS结构而大幅降低了漏电流。与第二代SiC-SBD相比，在额定电压650V、Tj=150℃时漏电流降低至约1/15。
性能提升和特性改善的目的
与Si二极管相比，SiC-SBD有望降低应用中的损耗。同时，功率元器件是处理大电压、大电流的产品，还存在“希望使用更放心”这个背景。抗浪涌电流性能的改善就是为了满足这种需求。
第三代SiC-SBD的应用
如果是高效率应用，无需特别限定，最适用的用途是电源装置，尤其是PFC。例如，服务器和高性能PC等不仅需要提高效率，还要求具备更高的抗浪涌电流性能。SCS3系列改善了第二代的正向电压特性，可进一步提高效率。而且，抗浪涌电流性能提升达2倍以上，对于意外发生的异常问题等具有更高的安全余量。
SCS3系列的产品阵容
当初推出该系列产品时，产品阵容为6A～10A、TO-220ACP封装共3种机型，如今已发展为5种机型量产中，加上不同封装类型扩展，已扩充到共15种机型。除通孔型的TO-220ACP外，还计划增加TO-220FM、面贴装型的TO-263AB，可根据安装方法和空间来选择封装。
| 耐压 | 正向电流 | 封装 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2A | 4A | 6A | 8A | 10A | ||
| 650V | NEW SCS302AP | NEW SCS304AP | NEW SCS306AP | NEW SCS308AP | NEW SCS310AP | TO-220ACP |
| ★ SCS302AM | ★ SCS304AM | ★ SCS306AM | ★ SCS308AM | ★ SCS310AM | TO-220FM | |
| ★ SCS302AJ | ★ SCS304AJ | ★ SCS306AJ | ★ SCS308AJ | ★ SCS310AJ | TO-263AB | |
★ 开发中
另外，虽然已经推出第三代产品，但第二代产品也在继续扩充机型，客户可根据使用条件和要求规格来自由选择。
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内置SiC-SBD的SiC-MOSFET产品规格表中记载的二极管规格是体二极管的还是SiC-SBD的？
连接于内部，不能从外部分离出特性。 但是SiC-SBD的VF小，通常使用范围内只在SiC-SBD流过正向电流，因此If-Vf特性、反向恢复特性基本上是SiC-SBD的特性。
ROHM SiC-SBD的技术规格书中没有反向恢复损耗Err项目，怎样估算比较好？
SBD由于没有载流子积蓄效应而没有反向恢复现象。但是具有寄生电容，因此以充放电的形式产生开关损耗。例如，使SCS240AE2C以250kHz400V工作时，估算如下：fQV = 250kHz x (31nC x 2) x 400V = 6.2W电流无关。
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