【产品】50V/280mA硅P沟道增强型MOSFET裸片，适用于高速脉冲放大器和驱动器设计

时间： 2018-11-11 来源：CENTRAL

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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制作商，主要产品包括二极管、整流器、晶闸管、保护器件、晶体管、场效应管、多分立器件模块（MDM）。CENTRAL公司推出的CP764X-CMPDM8002是一款硅P沟道增强型MOSFET裸片，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。具有较低的导通电阻和较低的结电容容量，不仅兼有体积小、耗电省等特点，还有输入阻抗高、噪声低等优点，适用于高速脉冲放大器和驱动器等应用。

表1 CP764X-CMPDM8002裸片机械参数

由表1可知，CP764X-CMPDM8002的裸片尺寸为21.7*17.7 MILS，裸片厚度为5.5 MILS。其栅极焊盘尺寸为4.7*4.7 MILS，源极焊盘尺寸为6.1*7.9 MILS。具体尺寸请参照表1。在T_A=25°C的标准下，CP764X-CMPDM8002 P沟道增强型MOSFET漏极-源极电压和漏极-栅极电压均为50V，栅源电压为20V，连续漏极电流和连续源极电流均为280mA。另外，饱和漏源电流I_DSS仅为1μA ( V_GS=0V，V_DS=50V)，漏极通态电流I_D(ON)最低为500mA(V_GS=10V，V_DS=10V)。其操作和储存结温范围是-65℃~150℃，满足军品级器件的温度要求，具有极高的稳定性。

图1 CP764X-CMPDM8002 P沟道增强型MOSFET裸片示意图

在V_DD=30V，V_GS=10V、I_D=200mA、R_G=25Ω、R_L=150Ω的条件下，导通时间t_on和关断时间t_off均为20ns。CP764X-CMPDM8002在V_GS=5V， I_D=50mA环境下，导通电阻R_DS（ON）最大值为3.0Ω，通态损耗较低。在V_DS=25V、V_GS=0、f=1.0MHz的标准下，其分布电容Crss、Ciss、Coss分别为7pF、70pF、15pF。可减少信号衰减和失真，保持信号的完整性。

CP764X-CMPDM8002 P沟道增强型MOSFET特点：

•导通电阻最大值为30Ω

•操作和储存结温范围是-65℃~150℃

•漏极-栅极电压为50V

•漏极-源极电压为50V

•栅源电压为20V

•连续漏极电流为280mA

CP764X-CMPDM8002 P沟道增强型MOSFET应用领域：

·高速脉冲放大器和驱动器

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