【产品】一款低电容高电流的N沟道MOSFET P175FP4SNK,适用于小型嵌入式电器设计
P175FP4SNK是新电元(SHINDENGEN)公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET,相对于P沟道MOS管,导通电阻更小,并且容易制造。最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为40.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为175.0A,所用的框架和引脚采用无缝焊接技术锻造而成,拥有更好的包封和阻燃性能。具有高电流、低导通电阻、低电容的特点。10V栅极驱动,可应用于驱动器,电机控制,DC-DC转换等应用。
采用SMD(Surface Mounted Devices)表面贴装,以Sn为主要材料,大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FP,是一款具体尺寸为13.3mm(W)X10.2mm(H)X4.6mm(D)mm,适用于小型嵌入式电器设计。
图1 P175FP4SNK外部视图
P175FP4SNK的最大栅极/源极电压VGSS为±20V,最大耗散功率Pd为178.0W,提高了能源利用效率,同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为1.3mΩ,最高沟道温度Tch为175.0℃,总栅极电荷量典型值Qg为116.0nC。
图2 P175FP4SNK典型输出特性及转移特性曲线
P175FP4SNK的主要特点:
• 最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为40.0V,最大栅极/源极电压VGSS为±20V
• 最大漏极持续电流(DC)Id为175.0A,最大耗散功率Pd为178.0W
• 静态漏源导通电阻Rds典型值为1.3mΩ
• 最高沟道温度Tch为175.0℃
• 总栅极电荷量典型值Qg为116.0nC
• 采用FP封装, 尺寸大小为13.3mm(W)X10.2mm(H)X4.6mm(D)
P175FP4SNK的典型应用:
• 驱动器
• 电机控制
• DC-DC转换
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