【产品】用于SiC功率MOSFET和肖特基二极管的动态表征平台

时间： 2019-03-09 来源：Littelfuse

技术问答

高压碳化硅MOSFET和二极管具有快速开关速度和极低的开关损耗，与使用硅器件的传统功率转换器相比，能够以更高的频率工作。更高的工作频率和极低的开关和传导损耗，可实现具有更高效率和功率密度的功率转换器。虽然前几代功率转换器受到高压硅开关的开关速度和高损耗的限制，但新的快速开关、低损耗SiC MOSFET和二极管几乎消除了这一限制，并为设计人员提供了以低成本重新设计紧凑、超高效功率转换器的机会。

SiC MOSFET的开关行为与硅MOSFET非常相似，并且驱动更为简单，但设计人员想要充分利用这些快速开关器件的优势，需要特别注意以下几个方面。由于PCB布局不良引起的寄生电感会严重损害MOSFET的开关行为，这些寄生电感与SiC MOSFET的快速dV/dt和dI/dt特性相结合，可能导致电压和电流过冲，开关损耗增加以及系统不稳定等问题。此外，使用传统硅IGBT技术来表征SiC MOSFET的开关行为，可能由于测量探针带宽不足、设备缺陷等问题，导致在开关损耗方面得出错误的结论。

LITTELFUSE的动态表征平台（DCP）旨在通过双脉冲技术表征SiC MOSFET和二极管开关损耗，它还可用于表征MOSFET和二极管数据表中提供的其他典型动态参数，例如开关时间、栅极电荷和反向恢复。如前所述，测量SiC器件的这些参数需要优化的电路板布局和精确的电压/电流检测技术，DCP可实现相关功能。

图1 Littelfuse动态表征平台（DCP）实物图

下面是DCP的框图。它采用单相支路配置，可容纳两个SiC MOSFET和可选的反并联肖特基二极管。每个MOSFET都有自己的栅极驱动电路，包括单独的数字隔离器、电流增强器和隔离电源。

图2 动态表征平台框图

DCP包括三个高压电源连接（DC+_Con2，DC-_Con1和OUT_Con3），两对用于栅极驱动器控制电路的低压连接（VCC_PS1/GND_PS1和VCC_PS2/GND_PS2），两个用于门控信号的BNC端子（PWM1/GND_PWM1和PWM2/GND_PWM2）和一个8引脚接头，可用作门控信号的替代接口（图2中未显示）。

图3 动态表征平台的接口连接

Littelfuse的动态表征平台（DCP）使设计工程师能够以高精度表征Littelfuse提供的高性能碳化硅（SiC）MOSFET和二极管。该评估套件的功能亮点包括：

·专为TO-247-3L封装的SiC MOSFET和TO-220-2L封装的SiC肖特基势垒二极管而设计

·功率环和栅极驱动电路针对超快dV/dt和dI/dt事件进行了优化

·集成了输入信号和测量探针接口连接

Littelfuse推出的DCP旨在：

·测量

·精确地测量MOSFET开关损耗、开关时间和栅极电荷

·精确地测量肖特基势垒二极管（SBD）和体二极管反向恢复

·为栅极驱动和电源回路PCB布局提供合理的参考设计

·为栅极驱动器布局和组件提供明智的建议

·促进简化的设备验证和更快的设计周期

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目录- Introduction of Littelfuse Index Symbols and Terms/Nomenclature New Pressfit Pin packages ISOPLUS™ family IGBT Discretes IGBT Modules Power MOSFETs Diodes Thyristors Rectifier Bridges Protection Devices Gate Drivers/Power Relays Diode & Thyristor（IXYS Chippenham） Power Semiconductor Chips/Direct Copper Bonded Ceramic Substrates Application Notes Highlights Outline Drawings

型号- R1280NC25M,MCD 26-16IO1B,N2055HE420,IXTT 30N50L2,R1280NC25K,R1280NC25L,MCD 56-18IO8B,IXBOD 2-52R,R1280NC25J,IXTQ 52N30P,MCK 200-18IO1,IXYR 100N120C3,LSIC2SD120C05,MDC600-22IO1W,IXYH 16N250CV1HV,LSIC2SD120C08,M0863LC360,IXTP 100N15X4,VBO 125-08NO7,DPG 15I200PA,F1600NC080,IXTH 1N450HV,T0600TB45A,LSIC2SD065E40CCA,DSEP 2X91-03A,IXBOD 2-51R,IXTX 4N300P3HV,IXTA 36N30P,VBO 72-18NO7,M4305TJ240,IXFR 64N60P,N6405EA240,IXYR 50N120C3D1,MCD580-28IO7,VUO 25-14NO8,0440 007.WRA,IXFY 36N20X3,VBO 25-12NO2,IXTT 120N15P,M1010NC400,IXBH 6N170,MCC 56-14IO1,VBE 26-06NO7,MCD160-30IO3,SXB4869G,IXTJ 3N150,DHG 10I1200PM,IXTH 120P065T,VTO 39-08HO7,IXFN 32N80P,IXTL 2N450,DMA 30P1600HR,IXBOD 2-54R,MDK950-18N1W,CS 20-25MOT1,IXBOD 2-55R,IXTK 140N20P,IXTR 48P20P,DH 20-18A,W2115MC560,IXTP 05N100P,IXFT 18N90P,QJ8030LH4TP,N4340TJ180,DMA 30P1600HB,W3841VC340,MKH 17RP650DCGLB 11,,SXB4649HEXT,IXBOD 2-17RD,DSEP 40-03AS,IXFH 42N50P2,Q8025K6TP,IXFH 22N50P,DPG 30C200HB,DSI 30-12AS,MCMA 240UI1600ED,IXBOD 2-53R,M0367WC220,VUM 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30P300PJ,LSIC1MO120E0040,S0700KC14Y,IXFK 220N15P,MCC 26-16IO1B,IXGK 55N120A3H1,DSA 1

选型指南 - LITTELFUSE - 2021/06/01 PDF 英文下载

【元件】LITTELFUSE推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

LITTELFUSE是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司近日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。

产品发布时间 : 2024-10-12

【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）

目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD

型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K

选型指南 - 中电国基南方 PDF 英文下载

即思创意（fastSiC）碳化硅MOSFET和肖特基二极管选型指南

目录- SiC Schottky Diode&SiC MOSFET

型号- FL12190A,FF06100G,FC06008D,FF06100F,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FF06100D,FC06008A,FF06320B,FF06320A,FF06030Q,FF17900E,FH06010C,FH06020E-3,FL06320B,FH06020E-2,FL06320A,FC06006D,FC06016C,FC06006C,FF17900Q,FC06010C,FH06004C,FH06006C,FC06002X,FL06150A,FL06320G,FF061K4A,FF12040Q

选型指南 - 即思创意 - 2022/1/18 PDF 英文下载

Littelfuse Unveils Industry’s First Asymmetrical TVS Diode Series for SiC MOSFET Gate Protection

Littelfuse today announced the SMFA Asymmetrical Series Surface-Mount TVS Diode, the first-to-market asymmetrical TVS solution specifically designed to protect SiC MOSFET gates from overvoltage events.

产品发布时间 : 2024-10-10

【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。

产品发布时间 : 2024-05-25