【产品】150V/140A N沟道功率MOSFET RM140N150T2，采用Super Trench技术
丽正国际推出的RM140N150T2是一款N沟道功率MOSFET，采用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能， 由于RDS（ON）和Qg的极低组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在TC=25°C时，RM140N150T2可以承受的极限漏源电压为150V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为140A，结温和储存温度范围为-55~175℃。RM140N150T2采用TO-220-3L封装，其产品图如图1所示。
图1 RM140N150T2产品图
RM140N150T2产品特性
•VDS =150V,ID =140A
RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V
•优秀的栅极电荷x RDS（on）产品
•低导通电阻RDS（on）
•175°C工作温度
•无铅电镀
•经过100％UIS测试
RM140N150T2应用领域
•DC / DC变换器
•高频开关和同步整流
•无卤素应用
RM140N150T2订购信息
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