【产品】150V/140A N沟道功率MOSFET RM140N150T2，采用Super Trench技术

时间： 2019-10-30 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际推出的RM140N150T2是一款N沟道功率MOSFET，采用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，由于R_DS（ON）和Q_g的极低组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在T_C=25°C时，RM140N150T2可以承受的极限漏源电压为150V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为140A，结温和储存温度范围为-55~175℃。RM140N150T2采用TO-220-3L封装，其产品图如图1所示。

图1 RM140N150T2产品图

RM140N150T2产品特性
•V_DS =150V,I_D =140A

R_DS(ON)<6.2mΩ @ V_GS=10V

•优秀的栅极电荷x R_DS（on）产品

•低导通电阻R_DS（on）

•175°C工作温度

•无铅电镀

•经过100％UIS测试

RM140N150T2应用领域

•DC / DC变换器

•高频开关和同步整流

•无卤素应用

RM140N150T2订购信息

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全部评论（1）

terrydl Lv9. 科学家 2019-10-30

学习了

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