【产品】8A 600/800V可控硅整流器,DPAK封装

时间： 2017-12-14 来源：Central

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Central Semi （美国中央半导体公司）是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，获得ISO9001：2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品。 Central Semi公司其晶闸管产品供应分为四大类：PN单结型晶体管（PN UJT），可编程单结型晶体管（Programmable UJT），可控硅整流器（SCRs）和三端双向可控硅开关元件（TRIACs）。

Central Semi推出的CSD-8M/CSD-8N系列产品是环氧模塑的可控硅整流器（SCRs），可以应用于控制系统和传感电路。产品采用DPAK封装，表面黏着方式安装。当T_C=25°C，V_D=12V， R_L=10Ω时，门极触发电流IGT的典型值为3.0mA，最大值为15mA。V_D=12V， R_L=10Ω时，门极触发电压V_GT值最大为1.5V，典型值则为0.9V。

CSD-8M/CSD-8N拥有相同的一些最大额定参数：工作结温TJ为-40至+125 °C，存储温度T_stg为-40至+150 °C。T_C=90°C时，通态电流均方值I_T（RMS）为8.0A。平均栅极功率损耗P_G（AV）为1.0 W。t_p=10μs，栅极峰值功率PGM 为40 W。通态电流上升率di/dt为50 A/μs。CSD-8M和CSD-8N两系列产品有区别的参数为断态重复峰值电压V_DRM（VRRM），CSD-8M为600V，CSD-8N为800V。

图一：产品图片

产品特性：

· 优异的高温性能

· 无噪音

· 工作结温TJ：-40至+125 °C，存储温度T_stg：-40至+150 °C

· 门极触发电流IGT的典型值：3.0mA，最大值：15mA

· CSD-8M断态重复峰值电压V_DRM（V_RRM）：600V

· CSD-8N断态重复峰值电压V_DRM（V_RRM）：800V

产品应用：

· 控制系统

· 传感电路

技术顾问：木木@四月

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通宵虫 Lv7. 资深专家 2018-11-13

学习
小小哥布林 Lv7. 资深专家 2018-03-31

不错
逵哥哥 Lv3. 高级工程师 2017-12-30

值得学习
gaogao Lv7. 资深专家 2017-12-14

学习了
土木 Lv7. 资深专家 2017-12-14

好东西，收藏了！

kingkong Lv5. 技术专家 2017-12-14

驱动能力这么强
ggss Lv8. 研究员 2017-12-14

学习了
ggss Lv8. 研究员 2017-12-14

学习了
Janvense Lv7. 资深专家 2017-12-14

好东西收藏了！
小倾听 Lv8. 研究员 2017-12-14

学习

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