【产品】12.5W的GaN宽带功率晶体管TGPA2D20F，工作频率30MHz到2.7GHz，用于蜂窝基础设施等领域

时间： 2023-07-06 来源：泰高

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GaN宽带功率晶体管,TGPA2D20F,TGPA2D20FMTRPBF,TGPA2D20F-EVB-A

TGPA2D20F是一款12.5W的GaN宽带功率晶体管，单次匹配，工作覆盖频段为30MHz至2.7 GHz。TGPA2D20F适用频率高达4GHz，输入和输出可以匹配，以获得所需频段的最佳功率和效率。TGPA2D20F采用3x6x0.8mm，32引脚的方形扁平无引脚（QFN）塑封，封装紧凑，且成本低。

特点

小信号增益@800MHz:18dB

大信号增益@800MHz:13.5dB

PSAT@800MHz:41.5dBm

PAE@PSAT@800MHz:>55%

28V–32V典型工作

工作频率:30MHz到2.7GHz

应用

专用移动无线电手持设备

公共安全无线电

蜂窝基础设施

军用无线电

订购信息

引脚描述

注意:[1]器件背面接地金属块必须通过多个通孔直接连至接地层，用以保证正常工作，同时需要充分的散热。

绝对最大额定值

注意:

最大值是绝对定额参数。长时间工作在绝对最大额定条件可能会影响器件的可靠性。超出一个或多个绝对最大定额参数可能会对器件和/或周边电路造成不可逆的永久性损害。

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产品型号	品类	Frequency（GHz）	Voltage（V）	Package
TGFE0220D	2通道开关LNA模块	3.3-4.2GHz	5.0V	6x6 QFN

选型表 - 泰高立即选型

TGPA2D20F PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

型号- TGPA2D20F

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TGPA2D40G–25W CW，50V，20-3000MHz氮化镓功率晶体管

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型号- TGPA2D40GMTRPF,TGPA2D40G,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D40G-EVB-A

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TGPA2D10C–6W CW，30-4000MHz氮化镓功率晶体管

描述- 本资料介绍了TGPA2D10C是一款宽带GaN功率晶体管，可在30MHz至4.0GHz频段提供6W连续波（CW）输出。该器件具有高增益、低功耗和紧凑型封装等特点，适用于私人移动无线电手机、公共安全无线电、蜂窝基础设施和军事无线电等领域。

型号- TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGPA2D10CMTRPBF

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型号- TGPA2D30G,TGPA2D30GMTRPBF,TGPA2D30G-EVB-A

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描述- TA9410E是一款宽带GaN功率晶体管，可在20MHz至3.0GHz频段提供25W连续波（CW）输出。该器件具有高增益、低功耗和高效率的特点，适用于私人移动无线电手机、公共安全无线电、蜂窝基础设施和军事无线电等领域。

型号- TA9410E-EVB-A,TA9410E-EVB-B,TA9410E,TA9410EMTRPBF

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TGPA2D20F–12.5W CW，30-4000MHz氮化镓功率晶体管

描述- TGPA2D20F是一款覆盖30MHz至2.7GHz频段的宽带12.5W GaN功率晶体管。该器件具有高增益、高效率等特点，适用于私人移动无线电手机、公共安全无线电、蜂窝基础设施和军事无线电等领域。

型号- TGPA2D20F,TGPA2D20FMTRPBF,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B

2021-03-23 - 泰高 - 数据手册 - Revision: 1.4 代理服务技术支持采购服务

TA9310E–20W CW，500-4000MHz氮化镓功率晶体管

描述- TA9310E是一款宽带GaN功率晶体管，可在500MHz至4.0GHz频段提供20W连续波（CW）输出。该器件具有高增益、高效率和小型化封装等特点，适用于私人移动无线电手机、公共安全无线电、蜂窝基础设施和军事无线电等领域。

型号- TA9310E-EVB-A,TA9310EMTRPBF,TA9310E

2021-03-05 - 泰高 - 数据手册 - Revision 1.3 代理服务技术支持采购服务

TA9110K–6W CW，30-4000MHz氮化镓功率晶体管

描述- TA9110K是一款宽带GaN功率晶体管，可在30MHz至4.0GHz频段提供6W连续波（CW）输出。该器件适用于私人移动无线电手机、公共安全无线电、蜂窝基础设施和军事无线电等领域。TA9110K采用紧凑型、低成本的四引脚无铅(QFN)3x3x0.8mm塑料封装。

型号- TA9110KMTRPBF,TA9110K,TA9110K-EVB-A

2020-10-05 - 泰高 - 数据手册 - Revision 1.1 代理服务技术支持采购服务

TA9210D–12.5W CW，30-4000MHz氮化镓功率晶体管

描述- TA9210D是一款覆盖30MHz至2.7GHz频段的宽带12.5W GaN功率晶体管。该器件具有高增益、高效率等特点，适用于私人移动无线电手机、公共安全无线电、蜂窝基础设施和军事无线电等领域。

型号- TA9210D-EVB-A,TA9210DMTRPBF,TA9210D-EVB-B,TA9210D

2021-03-23 - 泰高 - 数据手册 - Revision 1.4 代理服务技术支持采购服务

cg2h40025w射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管

描述- Cree的CG2H40025是一款高性能的25W射频功率GaN HEMT，适用于多种射频和微波应用。该器件在28伏电源轨上运行，提供高效率、高增益和宽带宽特性，适用于线性放大器和压缩放大电路。产品特性包括17dB的小信号增益、30W的典型PSAT和65%的效率，适用于2.0GHz至6GHz的频率范围。

型号- CG2H40025-TB,CG2H40025P,CG2H40025F-AMP,CG2H40025F-TB,CG2H40025,CG2H40025-AMP,CG2H40025F

2018/06/20 - WOLFSPEED - 数据手册 - Rev 0.0