【产品】SLKOR推出的N沟道和P沟道互补功率MOSFET SL607B，额定耗散功率为15W
SLKOR推出的N沟道和P沟道互补功率MOSFET SL607B，采用了Trench Power LV MOSFET技术和低RDS(ON) 的高密度单元设计，可以进行高速开关，TA=25℃时的绝对最大额定值方面，N沟道MOSFET漏源电压为30V，P沟道MOSFET漏源电压为-30V，可用于无线充电器，负载开关和电源管理。
。
产品汇总
一般说明
● Trench Power LV MOSFET技术
● 低RDS(ON) 的高密度单元设计
● 高速开关
应用
● 无线充电器
● 负载开关
● 电源管理
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
N-MOS电气特性 (TJ=25℃ 除非另有说明)
A. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
B. RθJA是结到外壳和外壳到环境热阻的总和，其中外壳热参考定义为漏极引脚的焊接安装表面。 RθJC由设计保证，而RθJA由电路板设计决定。此处给出的最大额定值基于安装在1平方英寸2盎司铜的焊盘上。
P-MOS电气特性 (TJ=25℃ 除非另有说明)
C. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
D. RθJA是结到外壳和外壳到环境热阻的总和，其中外壳热参考定义为漏极引脚的焊接安装表面。 RθJC由设计保证，而RθJA由电路板设计决定。此处给出的最大额定值基于安装在1平方英寸2盎司铜的焊盘上。
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