思瑞浦推出数字隔离器、隔离接口、隔离采样、隔离驱动等产品矩阵,可提供全系列安规认证证书
思瑞浦秉承独立开发、自主创新的理念,凭借在隔离产品领域的创新技术和优势资源,集聚了丰富的技术发明专利,包括基础隔离、传输电路、工艺优化、新型封装等。截至目前,已推出数字隔离器、隔离接口、隔离采样、隔离驱动等多个产品系列,获得市场与客户的一致认可与好评。同时思瑞浦汽车级隔离产品均通过第三方AEC-Q100可靠性认证。
隔离产品通常都是应用在高压、大功率场景,安全是隔离产品的重中之重,一定要保证隔离介质在全生命周期里不能被击穿。隔离介质层的击穿在器件可靠性角度通常分为两种,其中一种是瞬时击穿,即电场强度达到或超过介质材料所能承受的临界场强,介质中流过很大电流立刻被击穿,也称为本征击穿。另一种是经时击穿,是指在隔离介质两端施加低于栅氧的本征击穿场强的电场,并未引发本征击穿,但经历一定时间后由于施加电应力导致氧化层产生缺陷并聚集后发生了击穿。
为了保证隔离产品的耐压能力,思瑞浦的隔离产品使用了两级隔离电容,同时所有隔离产品在出厂测试时都会进行隔离耐压指标的测试,确保每一颗芯片的隔离耐压能力。出厂的隔离耐压测试就是保证芯片抵抗瞬时击穿的能力。
思瑞浦拥有隔离产品专用TDDB实验室
除了保证隔离产品瞬时隔离耐压能力外,我们同样也要考虑隔离产品在整个生命周期的隔离耐压能力,即抵抗经时击穿的耐压能力。这需要引入半导体行业常用可靠性测试方案 – TDDB(Time-Dependence-Dielectric-Breakdown),通过给不同批次的芯片增加不同的电压应力和温度应力提取芯片模型参数,通过统计学公式拟合得到隔离芯片在隔离工作电压下的使用寿命。
思瑞浦建立了专门针对隔离产品的TDDB实验室,实验室内运行的是思瑞浦自主开发的高压TDDB测试系统,可以实现7*24小时不间断地全自动TDDB测试,可以针对隔离产品进行长达数月甚至更长的TDDB测试。
思瑞浦可提供全系列安规认证VDE、TÜV、UL、CSA、CQC、CB
为了满足全球不同国家和地区客户的需求,思瑞浦所有隔离产品(工业级和汽车级)可同时提供全系列安规认证:VDE、TÜV、UL、CSA、CQC、CB。UL和CSA主要针对北美,包括美国和加拿大地区的客户和出口北美的产品;CQC是中国地区的安规认证证书;IEC CB则为国际通用的安规认证证书。VDE和TÜV主要针对欧洲地区客户以及出口欧洲的产品。
VDE为德国权威的第三方安规认证机构,目前的最新安规认证标准是VDE0884-17,旧版本VDE 0884-11已过时并不再使用。思瑞浦所有工业级和汽车级隔离产品均能提供VDE最新版VDE 0884-17安规认证证书。
工作电压范围:3V~5.5V
增益:TPA8000:8;TPA8001:8.2
失调电压:500μV
失调电流:-17μA
带宽:310kHz
传输延迟(50%-50%):1.5μs
共模瞬态抑制能力(CMTI):±150kV/μs
耐压能力:5kV RMS
浪涌能力:10kV peak
宽温度范围:−40℃ to +125℃
封装支持:WSOP8
工作电压范围:3V~5.5V
增益:1
失调电压:1.5mV
失调电流:3nA
带宽:310kHz
传输延迟(50%-50%):1.5μs
共模瞬态抑制能力(CMTI):±150kV/μs
耐压能力:5kV RMS
浪涌能力:10kV peak
宽温度范围:−40℃ to +125℃
封装支持:WSOP8
隔离驱动
兼容光耦型输入,用于光伏、储能、工业电机驱动等多种应用
VDD-VEE最大耐压:40V
上升/下降时间:8.2/6.5ns
低延时:50ns
驱动能力4.5A/5.5A
耐压能力:5.7kV RMS
浪涌能力:12.8kV peak
共模瞬态抑制能力(CMTI):±150kV/μs
宽温度范围:−40℃ to +125℃
集成米勒钳位功能(TPM23514M)
集成褪饱和保护功能(TPM23514D)
高低边分离输出(TPM23514V)
封装支持:WSOP6、WSOP8
工作电压范围:3V~5.5V
最高工作频率:1MHz
时钟方向:单向时钟(TPT72616),双向时钟 (TPT72617)
共模瞬态抑制能力(CMTI):±200kV/μs
宽温度范围:−40℃ to +125℃
封装支持:SOP16
工作电压范围:3V~5.5V
最高工作速率:支持CAN FD 5Mbps
共模电压范围:-30V~30V
共模瞬态抑制能力(CMTI):±200kV/μs
宽温度范围:−40℃ to +125℃
总线保护能力:±20kV HBM;±15kV IEC61000-4-2接触放电
封装支持:WSOP16、WSOP8、SMP8
TPT7481、TPT7482、TPT7487、TPT7488
工作电压范围:3V~5.5V
最高工作速率:20Mbps(TPT7481/2),500Kbps(TPT7487/8)
工作模式:全双工(TPT7482/8),半双工(TPT7481/7)
共模瞬态抑制能力(CMTI):±200kV/μs
宽温度范围:−40℃ to +125℃
总线保护能力:±20kV HBM;±15kV IEC61000-4-2接触放电
封装支持:WSOP16
数字隔离器
工作电压范围:2.25V~5.5V
通道数:1、2、3、4、6
通讯速率:150Mbps Data Rate
低延时:12ns
耐压能力:5kV RMS
浪涌能力:10kV peak
共模瞬态抑制能力(CMTI):±200kV/μs
宽温度范围:−40℃ to +125℃
封装支持:SOP8、SOP16、QSOP16、WSOP8、WSOP16、WWSOP16
思瑞浦将持续聚焦隔离产品,特别是汽车级隔离产品的深入探索,通过不断的技术创新和迭代,为客户与市场提供高质量、高可靠性、多元化选择的隔离产品矩阵。
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思瑞浦(3PEAK)驱动器选型表
选型器包含1~8通道,最大输出电流0.5~7A各类驱动器。马达驱动:输入电压3-48V宽输入范围驱动直流马达或感性负载。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Rating
|
Package
|
Features
|
VIN(V)
|
Channel
|
Max Output Current(A)
|
TPM8866-TSDR
|
步进马达驱动
|
Production
|
Industrial
|
ETSSOP24
|
Shift-Register Interface, Open-Load, Short Protection, Fault Mask, CRC
|
5~48
|
8
|
1.5
|
选型表 - 思瑞浦 立即选型
“三高一降”,光伏储能系统趋势及其模拟芯片解决方案
光储系统,又称太阳能光伏储能发电系统,由光伏设备和储能设备组成,用于发电和能量存储。在这些系统中,模拟芯片的应用和解决方案对于提升系统效率、降低成本以及增强可靠性至关重要。本文将简要介绍光储系统的基本运作原理,以及光储系统在高压化发展趋势下,模拟芯片的机会及纳芯微解决方案。
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