【应用】工作频率范围1MHz~1GHz的单刀四掷射频开关TS63421K，导通电阻低至1.9Ω

时间： 2022-11-12 来源：世强

技术问答

通信产品中射频器件是信号发射与接收的功能实现的关键器件。射频器件包括：低噪声放大器、增益放大器、射频开关、滤波器等。其中射频开关来对信号进行切换的。

射频收发单元框架

泰高的TS63421K的功能框图电路

笔者遇到客户做一个射频收发单元，内部需要30MHz~1GHz的单刀四掷射频开关。本文介绍泰高新推出的适用于1MHz~1GHz的单刀四掷射频开关TS63421K，具有低导通、小体积的特点，具体应用优势如下：

1.TS63421K工作频率范围1MHz~1GHz，满足客户30MHz~1GHz的频段要求。

2. TS63421K导通电阻低至1.9Ω，关断电容低至0.35pF，产品功耗降低。

3.TS63421K采用QFN-3*3封装，体积小，节省PCB布板面积。

综上，泰高新推出的TS63421K应用于射频收发单元，具有带宽合适、损耗低、体积小的优势。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由李玲丽提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

合科泰高可靠性NMOS管HKTD70N04，可用于电源管理和电机驱动等应用

作为一种重要的电子元件，MOS管在电子电路中扮演着关键角色，MOS管由源极、栅极、漏极组成，MOS管在开关电路中，通过栅极控制源极和漏极的通断，它具有高输入阻抗、使用灵活方便等特点，非常适合高度集成化的应用。本期，合科泰电子给大家介绍一款NMOS管，它在开关和稳压电路上具有非常多的应用。

应用方案发布时间 : 2024-10-24

【应用】国产吸收式单刀四掷射频开关X128用于射频矩阵开关，工作频段0.1-6GHz，隔离度高达60dB

西南集成推出的高频率、高隔离度吸收式单刀四掷射频开关X128可用于射频矩阵开关项目，优势：1、频带宽，工作频率0.1GHz-6GHz；2、隔离度高，频率2GHz条件下隔离度高达60dB；3、吸收式开关。4、外围电路简单。

应用方案发布时间 : 2022-08-03

【应用】泰高氮化镓场效应晶体管用于快充充电器，可直接PWM驱动器，不需要外部VCC

便携性设备的快充技术的发展越来越快，能有如此快的快充技术与快充产品离不开半导体材料与新型电路拓扑结构的发展。本文介绍泰高的360mΩ/650V氮化镓场效应晶体管TP44400SG在快充充电器的应用。

应用方案发布时间 : 2023-01-04

【产品】宽带SP4T氮化镓射频开关TGSP2140AC，工作频率30MHz~5.0GHz，采用紧凑QFN 16引脚封装

泰高推出的TGSP2140AC是一款为宽带和大功率开关应用设计的对称反射式单刀四掷（SP4T）开关。对于所有要求在小封装尺寸内需要低插损、高隔离度和高线性度的应用来说，TGSP2140AC是一款非常优秀的开关，这得益于其30MHz到5.0GHz的宽带频率范围。

产品发布时间 : 2023-06-09

【产品】反射式开路单刀四掷开关TS63421K，具有低至1.9Ω的导通电阻和0.35pF的关断电容

TS63421K是一款反射式开路单刀四掷开关（SP4T），设计用于需要高射频峰值电压能力的天线或滤波器调谐应用。TS63421K适用于1MHz至1GHz的频率范围，具有非常低的1.9Ω导通电阻和0.35pF的关断电容。

产品发布时间 : 2022-11-01

【产品】用于天线或滤波器调谐应用的反射式开路单刀四掷开关TS63420K，导通电阻低至1.9Ω

TS63420K是一款反射式开路单刀四掷开关，设计用于需要高射频峰值电压能力的天线或滤波器调谐应用。TS63420K适用于1MHz至1GHz的频率范围。TS63420K具有非常低的1.9Ω导通电阻和0.35pF的关断电容，最多可选择16个独立状态。

产品发布时间 : 2022-10-15

TS63421K – 1.9Ω On Resistance GaN Broadband RF Switch SP4T

型号- TS63421K,TS63421K-EVB,TS63421KMTRPBF

数据手册 - 泰高 - Revision 1.1 - 2020-04-24 PDF 英文下载

通量科技（FLUXWORKS）成立于2014年，2016年加入上市公司天和集团，专注于射频与毫米波模拟集成电路的研发生产,主营产品包含宽带低噪声放大器、驱动放大器、多通道射频开关等。围绕5G通信芯片的应用场景，有针对性地推出了芯片系列和专业化的应用方案。

功率驱动放大器单刀双掷射频开关低噪声放大器单刀四掷射频开关单通道两级LNA 驱动放大器增益放大器微波雷达芯片射频低噪声放大器射频开关芯片射频驱动放大器

授权代理商 - 世强先进（深圳）科技股份有限公司线上商城技术资料

展开

泰高（Tagore）GaN射频器件选型指南

描述- 2021年成立于中国深圳，主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售，其芯片设计中心位于美国芝加哥，产品应用中心位于中国深圳与厦门。

型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC

选型指南 - 泰高 - 2023/7/3 PDF 中文下载