【技术】0.25μm pHEMT工艺,优化了低噪声和高达60GHz的多用途工作

2018-10-14 UMS
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PHEMT是对高电子迁移率晶体管(HEMT)的一种改进结构,它具有双异质结的结构,这不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性,而且也改善了器件的输出伏安特性。


PH25是著名半导体制造商UMS公司推出的0.25μm pHEMT工艺,该工艺流程针对低噪声和高达60GHz的多用途工作进行了优化。该工艺包括两个金属互连层,精密TaN电阻,高值TiWSi电阻,MIM电容,空气桥和穿过基板的通孔,并且有多种涂层可供选择。完善的工艺流程使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。适用于低噪声、高带宽、大容量、高成品率的单片微波集成电路的制作,如低噪声放大器CHA3218-99FCHA3395-QDG)、混频器CHM1298-99FCHM1270A98F)、倍频器CHX1191-98FCHX2092A99F)、衰减器CHT4660-QAGCHT3029-99F)等。

 

表一:PH25的电气特性表


PH25工艺的主要特点:

•0.25μm pHEMT工艺

•典型Ft:90GHz

•TaN和TiWSi电阻

•GaAs电阻

•M.I.M电容器

•空气桥

•通气孔

•操作Vds =3V

•厚度:100μm

•Wafer直径:100mm

•通过ESA(EPPL)的空间应用评估

 

PH25的设计套件特性:

•适用于是德科技的ADS,NI-AWR的MwO

•ADS PDK包括DRC规则和动量叠加文件

•具有自动布局生成的原理图输入

•无源器件的可扩展模型

•FET的可扩展非线性模型

•FET的可扩展线性和噪声模型

•用于串联和并联开关配置的可扩展模型

•用于反向(变容二极管)和转发二极管(混频器)的可扩展非线性模型

•用于扩展分析的数据

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  • 北冥之鲲 Lv8 2019-03-12
    PH25工艺可以提供晶元代工服务,不受美国政策限制。
  • wch7475 Lv8. 研究员 2019-05-06
    学习
  • 用户83734992 Lv6. 高级专家 2019-04-24
  • jishizhong Lv9 2019-03-30
    学习了
  • yingqiming Lv7. 资深专家 2019-02-19
    不错
  • AOD Lv6. 高级专家 2019-01-10
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  • 用户84786367 Lv8 2019-01-01
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  • NONO Lv7. 资深专家 2018-12-25
    学习一下
  • 沉默 Lv7. 资深专家 2018-12-20
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  • 时不我待 Lv7. 资深专家 2018-12-19
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