【技术】0.25μm pHEMT工艺，优化了低噪声和高达60GHz的多用途工作

时间： 2018-10-14 来源：UMS

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PHEMT是对高电子迁移率晶体管（HEMT）的一种改进结构，它具有双异质结的结构，这不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性，而且也改善了器件的输出伏安特性。

PH25是著名半导体制造商UMS公司推出的0.25μm pHEMT工艺，该工艺流程针对低噪声和高达60GHz的多用途工作进行了优化。该工艺包括两个金属互连层，精密TaN电阻，高值TiWSi电阻，MIM电容，空气桥和穿过基板的通孔，并且有多种涂层可供选择。完善的工艺流程使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。适用于低噪声、高带宽、大容量、高成品率的单片微波集成电路的制作，如低噪声放大器（CHA3218-99F、CHA3395-QDG）、混频器（CHM1298-99F、CHM1270A98F）、倍频器（CHX1191-98F、CHX2092A99F）、衰减器（CHT4660-QAG、CHT3029-99F）等。

表一：PH25的电气特性表

PH25工艺的主要特点：

•0.25μm pHEMT工艺

•典型Ft：90GHz

•TaN和TiWSi电阻

•GaAs电阻

•M.I.M电容器

•空气桥

•通气孔

•操作Vds =3V

•厚度：100μm

•Wafer直径：100mm

•通过ESA（EPPL）的空间应用评估

PH25的设计套件特性：

•适用于是德科技的ADS，NI-AWR的MwO

•ADS PDK包括DRC规则和动量叠加文件

•具有自动布局生成的原理图输入

•无源器件的可扩展模型

•FET的可扩展非线性模型

•FET的可扩展线性和噪声模型

•用于串联和并联开关配置的可扩展模型

•用于反向（变容二极管）和转发二极管（混频器）的可扩展非线性模型

•用于扩展分析的数据

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全部评论（30）

北冥之鲲 Lv8 2019-03-12

PH25工艺可以提供晶元代工服务，不受美国政策限制。
wch7475 Lv8. 研究员 2019-05-06

学习
用户83734992 Lv6. 高级专家 2019-04-24

好
jishizhong Lv9 2019-03-30

学习了
yingqiming Lv7. 资深专家 2019-02-19

不错

AOD Lv6. 高级专家 2019-01-10

学习了
用户84786367 Lv8. 研究员 2019-01-01

学习了
NONO Lv7. 资深专家 2018-12-25

学习一下
沉默 Lv7. 资深专家 2018-12-20

学习
时不我待 Lv7. 资深专家 2018-12-19

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产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

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产品型号

品类

RF Bandwidth (GHz)min

RF Bandwidth (GHz)max

LO Bandwidth (GHz)min

LO Bandwidth (GHz)max

IF Bandwidth (GHz)min

IF Bandwidth (GHz)max

选型表 - UMS 立即选型

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产品型号	品类	Xn	Input Bandwidth (GHz)-min	Input Bandwidth (GHz)-max	Output Bandwidth (GHz)-min	Output Bandwidth (GHz)-max	Input Power(dBm)	Output Power(dBm)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHX2193-FAB	倍频器	x2	6.25	8.25	12.5	16.5	10	14	60	3.5	Hermetic SMD