【产品】-60V/-61A P沟道增强型功率MOSFET RM60P60HD

时间： 2019-11-19 来源：丽正国际

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RM60P60HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻R_DS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM、负荷开关及其他通用应用。

在T_A=25°C时，RM60P60HD可以承受的漏源电压最大额定值为-60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-61A，漏极脉冲电流最大额定值为-244A，最大功率耗散为171W，单次脉冲雪崩能量最大额定值为245mJ，结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻典型值为0.73℃/W。

产品特性
•V_DS=-60V,I_D =-61A

R_DS(ON)<22mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON) <40mΩ @ V_GS=-6V

•高密度单元设计，可实现超低R_DS(ON)

•雪崩电压和电流具有出色表现

•专为转换器和功率控制设计

•高E_AS，具有良好的稳定性和一致性

•优良的封装，良好的散热性能

•特殊工艺技术可实现高ESD能力

•无卤素应用

•经过100％UIS测试

•经过100％ΔVds测试

•P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如： RM60P60HDV

应用领域

·电源切换应用

·硬开关和高频电路

·不间断电源

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