【产品】-60V/-61A P沟道增强型功率MOSFET RM60P60HD
RM60P60HD是丽正国际推出的一款采用TO-263-2L封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于PWM、负荷开关及其他通用应用。
在TA=25°C时，RM60P60HD可以承受的漏源电压最大额定值为-60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-61A，漏极脉冲电流最大额定值为-244A，最大功率耗散为171W，单次脉冲雪崩能量最大额定值为245mJ，结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻典型值为0.73℃/W。
产品特性
•VDS =-60V,ID =-61A
RDS(ON) <22mΩ @ VGS=-10V
RDS(ON) <40mΩ @ VGS=-6V
•高密度单元设计，可实现超低RDS(ON)
•雪崩电压和电流具有出色表现
•专为转换器和功率控制设计
•高EAS，具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，良好的散热性能
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
•无卤素应用
•经过100％UIS测试
•经过100％ΔVds测试
•P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如： RM60P60HDV
应用领域
·电源切换应用
·硬开关和高频电路
·不间断电源
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