【产品】漏源电压700V,连续漏极电流4A的N沟道MOSFET,具有四种封装形式
由无锡紫光微公司推出的TMA4N70HG、TMD4N70HG、TMP4N70HG、TMU4N70HG四款N沟道MOSFET具有快速开关的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。四款产品的主要区别是封装形式的不同,具体封装形式请参照下图。产品主要应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等领域。
图1 产品实物图
TMA4N70HG~TMU4N70HG 型号N沟道MOSFET的最大额定值(除非另有规定,否则Ta=25℃):
注:
1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制
2.IAS = 4A,VDD = 50V,RG = 25Ω,开始TJ = 25℃
3.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤1%
TMA4N70HG~TMU4N70HG设备标记和包装信息:
封装尺寸:
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型号- 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服务
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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