【产品】漏源电压700V,连续漏极电流4A的N沟道MOSFET,具有四种封装形式

2020-09-23 无锡紫光微
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无锡紫光微公司推出的TMA4N70HGTMD4N70HGTMP4N70HGTMU4N70HG四款N沟道MOSFET具有快速开关的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。四款产品的主要区别是封装形式的不同,具体封装形式请参照下图。产品主要应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等领域。

图1 产品实物图


TMA4N70HG~TMU4N70HG 型号N沟道MOSFET的最大额定值(除非另有规定,否则Ta=25℃):

注:

1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制

2.IAS = 4A,VDD = 50V,RG = 25Ω,开始TJ = 25℃

3.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤1%


TMA4N70HG~TMU4N70HG设备标记和包装信息:

封装尺寸:



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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品类:MOSFET

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品类:MOSFET

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品牌:RENESAS

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

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