【产品】漏源电压700V，连续漏极电流4A的N沟道MOSFET，具有四种封装形式

时间： 2020-09-23 来源：无锡紫光微

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由无锡紫光微公司推出的TMA4N70HG、TMD4N70HG、TMP4N70HG、TMU4N70HG四款N沟道MOSFET具有快速开关的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。四款产品的主要区别是封装形式的不同，具体封装形式请参照下图。产品主要应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域。

图1 产品实物图

TMA4N70HG~TMU4N70HG 型号N沟道MOSFET的最大额定值（除非另有规定，否则Ta=25℃）：

注：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2.I_AS = 4A，V_DD = 50V，R_G = 25Ω，开始TJ = 25℃

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1％

TMA4N70HG~TMU4N70HG设备标记和包装信息:

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