【产品】80V N沟道MOSFET TTB115N08A和TTP115N08A，连续漏极电流达115A
无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商，TTB115N08A/TTP115N08A是该公司设计的N沟道MOSFET，符合RoHS标准，对人类健康和生态环境友好。TTB115N08A/TTP115N08A具有快速反向恢复时间、低RDS（ON）等特点，多用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。
图1 TTB115N08A/TTP115N08A产品图
电气特性方面，TTB115N08A/TTP115N08A的漏源电压高达80V，耐压能力强，栅源电压为±20V，连续漏极电流为115A（Tc=25℃），脉冲漏极电流为460A，可满足大功率电路的设计要求。其雪崩电流最大额定值为51A，单脉冲雪崩能量最大额定值为390mJ，使MOSFET不易被击穿，不易失效。
产品在25℃下的耗散功率最大额定值为200W，最大导通电阻在VGS=10V，ID=20A时最大仅为7.5mΩ，导通损耗较低，导通延迟时间的典型值仅为24ns，产品响应速度快。反向恢复时间的典型值为37ns，在导通和截止间的转换速度快。工作结温和存储温度范围为-55℃~175℃，符合工业级温度要求。
TTB115N08A/TTP115N08A N沟道MOSFET产品特性：
低RDS（ON）
低栅极充电电容
优化快速开关应用
TTB115N08A/TTP115N08A N沟道MOSFET应用领域：
DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
通信和工业用隔离DC/DC转换器
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
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V(GS)thmin(V)
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V(GS)thmax(V)
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Ciss(pF)
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Qg(nC)
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封装
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TTD30N10AT
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N-Channel Trench MOSFET
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100
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20
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22
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27
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1
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2.4
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4529
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37
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TO-252
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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