【产品】80V N沟道MOSFET TTB115N08A和TTP115N08A，连续漏极电流达115A

时间： 2019-11-05 来源：无锡紫光微电子

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无锡紫光微电子有限公司致力于成为中国先进的 SJ MOSFET 供应商，TTB115N08A/TTP115N08A是该公司设计的N沟道MOSFET，符合RoHS标准，对人类健康和生态环境友好。TTB115N08A/TTP115N08A具有快速反向恢复时间、低R_DS（ON）等特点，多用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。

图1 TTB115N08A/TTP115N08A产品图

电气特性方面，TTB115N08A/TTP115N08A的漏源电压高达80V，耐压能力强，栅源电压为±20V，连续漏极电流为115A（Tc=25℃），脉冲漏极电流为460A，可满足大功率电路的设计要求。其雪崩电流最大额定值为51A，单脉冲雪崩能量最大额定值为390mJ，使MOSFET不易被击穿，不易失效。

产品在25℃下的耗散功率最大额定值为200W，最大导通电阻在V_GS=10V，I_D=20A时最大仅为7.5mΩ，导通损耗较低，导通延迟时间的典型值仅为24ns，产品响应速度快。反向恢复时间的典型值为37ns，在导通和截止间的转换速度快。工作结温和存储温度范围为-55℃~175℃，符合工业级温度要求。

TTB115N08A/TTP115N08A N沟道MOSFET产品特性：

低R_DS（ON）

低栅极充电电容

优化快速开关应用

TTB115N08A/TTP115N08A N沟道MOSFET应用领域：

DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流

通信和工业用隔离DC/DC转换器

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刘圆圆 Lv5. 技术专家 2019-11-06

很不错学习下
星河 Lv5. 技术专家 2019-11-06

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著名公司 Lv7. 资深专家 2019-11-06

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无悔 Lv7. 资深专家 2019-11-06

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

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TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

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