【产品】-20V/-30A P沟道增强型MOSFET AS30P02S，漏源导通电阻低至19mΩ
安邦（ANBON）推出的P沟道增强型MOSFET AS30P02S，开关速度快，高密度单元设计，超低导通电阻，漏源导通电阻RDS(on)MAX为19mΩ@-4.5V，26mΩ@-2.5V，45mΩ@-1.8V，漏源击穿电压V(BR)DSS为-20V， 连续漏极电流 ID 为-30A，封装为DFN3.3X3.3-8L，可应用于电池保护，负载开关，电源管理等领域。
图1 产品外形图
图2 电路原理图
P沟道增强型MOSFET AS30P02S特点
•高密度单元设计，超低导通电阻
•开关速度快
P沟道增强型MOSFET AS30P02S应用
•电池保护
•负载开关
•电源管理
绝对最大额定值（除非另有说明，否则Ta = 25℃）
封装尺寸图
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