【产品】漏源电压-30V的P沟道MOSFET SLV3407T，导通电阻低至36mΩ，可用于电池保护
美浦森推出的SLV3407T是一款漏源电压-30V的P沟道MOSFET。这种功率MOSFET是使用美浦森先进的平面条纹沟槽技术生产的。这种先进的技术是为实现最小化传导损失而定制的，提供优越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。
除非另有说明，否则当TC=25℃，该产品的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V，连续漏极电流-4.1A，脉冲漏极电流-15A，栅源电压±20V，耗散功率1.2W，工作温度与存贮温度范围为：-55℃~+150℃。
产品特性：
● P沟道：
-30V，-4.1A
RDS(on)Typ=36mΩ@VGS =-10V
RDS(on)Typ=52mΩ@VGS=-4.5V
●极低的导通电阻RDS(ON)
●低Crss
●快速开关
●100%雪崩测试
●改进的dv/dt的能力
产品应用：
电池保护
负载开关
电源管理
产品采用SOT-23封装，引脚分布如下图：
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