【产品】采用TSSOP8塑封的双N沟道MOSFETCJS2016，能够承受260°C/10s高温焊接
长晶科技推出的CJS2016是一款采用TSSOP8塑封的双N沟道MOSFET。该器件采用TrenchFET功率MOSFET技术，具有出色的漏源导通电阻RDS（on）和低栅极电荷。MOSFET具有高功率和电流承受能力，适合用作电池保护、负载开关和电源管理等领域。
MOSFET的存储温度范围宽至-55~150°C，结温高达150°C，能够承受260°C/10s高温焊接。该产品的漏-源电压最大额定值为20V；栅源电压最大额定值为±10V。MOSFET的连续漏极电流为6A，脉冲漏极电流可达25A。MOSFET具有低漏源导通电阻，在VGS =4.5V, ID =6A条件下的漏源导通电阻RDS（on）典型值仅为15.7mΩ；VGS =2.5V, ID =5A条件下的典型值仅为20mΩ。
图1 产品外观和等效电路
优势与特性
TrenchFET功率MOSFET
低漏源导通电阻RDS（on）
低栅极电荷
高功率和电流承受能力
表面贴片封装
应用领域
电池保护
负载开关
电源管理
标记
尺寸信息
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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