【选型】CALY Technologies SIC限流装置,为有线网络中电流馈入设备的短路浪涌保护提供解决方案

2019-09-03 CALY Technologies
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CALY Technologies是碳化硅(SiC)保护设备专家,可提供碳化硅定制设计方面的全套服务。碳化硅(SiC)限流装置(CLD)是设计用于通过它们将电流钳位在给定值的半导体器件,因此限制了到达要保护的设备的能量的量。本方案就介绍CALY Technologies的碳化硅(SiC)限流装置(CLD)在保护有线网络中电流馈入设备,防止短路浪涌。据此,本方案推荐CALY Technologies的碳化硅限流装置——KE12LE150BKE12LEB150T20KE12LS060BKE12LS060SBKE12LS060T47KE12LS200B、KE12LS200T47、KE12LSB200S20KE12LSB400T47,为有线网络中电流馈入设备的短路浪涌保护提供解决方案。

 

 

图1 电路图 

 

KE12LS060B、KE12LS060T47、KE12LS060SB:

首先在电气特性上,KE12LS060B、KE12LS060T47、KE12LS060SB是三款均为600 mΩ的SIC限流装置(CLD),设计用于将最大正向电流钳位在15A,额定饱和电流为10A,并能够承受高达1200V的浪涌瞬变。在反向模式下,均表现为恒定电阻。其高坚固性使其成为在连续和故障条件下限制通过负载的电流的理想设备。

 

图2  KE12LS060B、KE12LS060T47、KE12LS060SB外观、订购信息

 

KE12LE150B

KE12LE150是一款1500mΩ碳化硅(SiC)单向限流装置,设计用于钳位每个器件典型值4A的电流,并能够承受高达1200V的浪涌瞬变。其高强度使其成为在故障情况下,故障消失或断路(机械或电子)发生反应之前限制通过负载的电流的理想设备。


图3  KE12LE150B外观、订购信息

 

KE12LEB150T20

KE12LEB150是一款1500mΩ双碳化硅(SiC)限流装置,可用于单向(S1连接到S2)或双向(S1和S2之间的装置)模式,旨在将电流钳制在典型值3A 器件,能够承受高达1200V的浪涌瞬变。


图4  KE12LEB150T20外观、订购信息


KE12LS200B、KE12LS200S、KE12LS200T

KE12LS200(KE12LS200B、KE12LS200S、KE12LS200T)是一款1.2 kV,2 Ohm的限流装置,设计用于将正向电流钳位在最大2.5A。 在反向模式下,KE12LS200主要表现为恒定电阻。

 

图5  KE12LS200B、KE12LS200S、KE12LS200T外观、订购信息图

 

KE12LSB200S20

KE12LSB200是一款1.2 kV,2 Ohm的双向碳化硅(SiC)限流装置,设计用于以2.5A的典型值正向或反向钳位电流。


图6  KE12LSB200S20外观、订购信息图

 

KE12LSB400T47

KE12LSB400是一款1.2 kV,2 Ohm双碳化硅(SiC)限流装置,可用于单向(S1连接到S2)或双向(S1和S2之间的器件)模式,旨在将电流钳位在典型值每个设备2.5A。


图7  KE12LSB400T47外观、订购信息图


值得一提的是,所有产品的高强度使其成为在故障情况下,故障消失或断路器(机械或电子)可能发生反应之前限制通过负载的电流的理想设备。通过确保通过负载的故障电流接近其标称电流(降低的感应故障应力),实现最佳负载保护。对由于自热造成的持久性故障,电流随时间降低,从而提高了保护水平。

 

综上所述,KE12LS060B、KE12LS060T47、KE12LS060SB 、KE12LE150B、KE12LEB150T20、KE12LS200B、KE12LS200S、KE12LS200T、KE12LSB200S20、KE12LSB400T47的SIC限流装置(CLD)具有饱和电流与正常工作电流比率低、出色的电流钳位能力、击穿电压超过1200V、良好的温度适应性等优势,为有线网络中电流馈入设备的短路浪涌保护提供解决方案。世强作为CALY Technologies的代理商充足,欢迎咨询。

图8  产品选型列表

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  • 电商采购 Lv6. 高级专家 2020-11-26
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型号- KE12LEB150T20,KE12LEB150

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品牌:CALY Technologies

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品类:CATHODE SILICON CARBID

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品牌:CALY Technologies

品类:SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

价格:¥44.8863

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品类:SILICON CARBIDE SICSCHOTTKY DIODE

价格:¥31.8122

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